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本文件描述了用轮廓仪法、千分尺法和游标卡尺法测试半导体晶片直径的方法。 本文件适用于圆形半导体晶片直径的测试,测试范围为标称直径不大于300 mm。本文件不适用于测试晶片的不圆度。
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本文件规定了船用半导体变流器(以下简称“变流器”)的要求、检验规则和标志、包装、运输贮存、随机文件,描述了相应的试验方法。 本文件适用于半导体整流二极管、各种类型的晶闸管、门极可关断晶闸管(GTO)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)、集成门极换流晶闸管(IGCT)、金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)以及其他电力电子器件所构建的输入输出变流器的设计、制造和试验。
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本文件规定了室内照明环境下(排除自然光透入)用于精细陶瓷半导体光催化材料性能测试光源的试验要求。 本文件适用于精细陶瓷半导体不同催化过程和催化试验的电光源检测。 注:催化试验例如,光解水制氢、光降解污染物、模拟日光加速试验等。
本标准界定了半导体照明的通用术语。 本标准适用于采用固体发光材料为光源的照明领域。
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本文件界定了半导体材料的一般术语和定义,材料制备与工艺及缺陷的术语和定义,以及缩略语。本文件适用于半导体材料的研发、生产、制备及相关领域。
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本标准规定了半导体材料切削液的各项技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、储存及运输等要求。本标准适用于半导体材料线切割加工采用的切削液。
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本标准规定了半导体设备电源接口的供电类别,选择电器附件、导线和电缆的要求等。 本标准适用于半导体设备的电源接口。
本标准规定了半导体多晶、单晶、晶片、外延片等产品的牌号表示方法。本标准适用于半导体多晶、单晶、晶片、外延片等产品的牌号表示,其他半导体材料牌号表示可参照执行。
本文件描述了晶圆级的NMOS和PMOS晶体管热载流子试验方法,该试验旨在确定某个CMOS工艺中的单个晶体管是否满足所需的热载流子注入效应的寿命时间。
本标准规定了半导体分立器件型号命名方法的组成原则、组成部分的符号及其意义。 本标准适用于各种半导体分立器件。
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本标准规定了半导体变流器的一般电气试验方法。 本标准适用于各种普通变流器,包括整流器、逆变器、兼有整流和逆变两种运行方式的变流器以及各种电力电子开关。专用变流器也可参照使用。 本标准不适用于机动车用变流器和航空电器用机载变流器。
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