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YS/T 38的本部分规定了高纯镓中杂质含量的测定方法。测定范围:各元素质量分数见表1。

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YS/T 923的本部分规定了高纯铋中铜、铅、锌、铁、银、砷、锡、镉、镁、铬、铝、金和镍量的测定方法。
本部分适用于高纯铋中铜、铅、锌、铁、银、砷、锡、镉、镁、铬、铝、金和镍量的测定。测定范围见表1。

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YS/T 36的本部分规定了高纯锡中镁、铝、钙、铁、钴、镍、铜、锌、银、铟、金、铅、铋含量的测定方法。
本部分适用于高纯锡中镁、铝、钙、铁、钴、镍、铜、锌、银、铟、金、铅、铋含量的测定。各元素测定范围见表1。

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本标准规定了高纯铼及铼酸铵中铍、钠、镁、铝、钾、钙、钛、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌、砷、钼、镉、铟、锡、锑、钡、钨、铂、铊、铅、铋含量的测定方法。本标准适用于高纯铼及铼酸铵中铍、钠、镁、铝、钾、钙、钛、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌、砷、钼、镉、铟、锡、锑、钡、钨、铂、铊、铅、铋含量的测定。测定范围:0.000 1%~0.005 0%。

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GB/T 4844.3-1995 被代替 发布日期 :  1995-12-20 实施日期 :  1996-08-01

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GB/T 10117-2009 被代替 发布日期 :  2009-10-30 实施日期 :  2010-06-01

本标准规定了高纯锑的要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存和订货单(或合同)内容等。
本标准适用于以工业锑为原料,经氯化、精馏、氢气还原、蒸馏等而制得的纯度不小于99.999%的以及不小于99.999 9%的高纯锑。产品用于制备ⅢⅤ族半导体材料、高纯合金、热电致冷元件以及用作硅、锗单晶的掺杂剂等。

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GB/T 10624-1995 被代替 发布日期 :  1995-12-20 实施日期 :  1996-08-01

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GB/T 26016-2010 被代替 发布日期 :  2011-01-10 实施日期 :  2011-10-01

本标准规定了高纯镍(5 N和6 N)的要求、检验方法、检验规则、包装、标志、运输、贮存、质量证明书和合同(或订货单)内容。
本标准适用于微电子工业溅射靶材及离子镀膜、蒸发镀膜、制造高纯试剂、标样和高级合金用途的高纯镍。

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GB/T 26017-2010 被代替 发布日期 :  2011-01-10 实施日期 :  2011-10-01

本标准规定了高纯铜(5 N和6 N)的要求、检验方法、检验规则、包装、标志、运输、贮存、质量证明书和合同(或订货单)内容。
本标准适用于溅射靶材及离子镀膜、电子工业各种连接线、电子封装用键合线、高品质音频线等用途的高纯铜,也可制造高纯试剂、标样及高级合金。

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GB/T 26018-2010 被代替 发布日期 :  2011-01-10 实施日期 :  2011-10-01

本标准规定了高纯钴的要求、检验方法、检验规则、包装、标志、运输、贮存、质量证明书和合同(或订货单)等内容。
本标准适用于磁传感材料,光感材料,磁记录溅射靶材及离子镀膜、蒸发镀膜、制造高纯试剂、标样和高纯合金等用途的高纯钴。

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GB/T 10117-1988 被代替 发布日期 :  1988-12-10 实施日期 :  1989-12-01

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GB/T 10118-1988 被代替 发布日期 :  1988-12-10 实施日期 :  1989-12-01

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GB/T 10118-2009 被代替 发布日期 :  2009-10-30 实施日期 :  2010-06-01

本标准规定了高纯镓的要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存及订货单(或合同)内容等。
本标准适用于以纯度不小于99.99%的工业镓为原料,经电解精炼、拉制单晶或其他提纯工艺制得的纯度不小于99.999 9%的镓。产品供制备化合物半导体材料和高纯合金。

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GB/T 8980-1996 被代替 发布日期 :  1996-12-02 实施日期 :  1997-05-01

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GB/T 7445-1995 氢、氢和超 被代替 发布日期 :  1995-12-20 实施日期 :  1996-08-01

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