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GB/T 14264-2024 半导体材料术语 现行 发布日期 :  2024-04-25 实施日期 :  2024-11-01

本文件界定了半导体材料的一般术语和定义,材料制备与工艺及缺陷的术语和定义,以及缩略语。本文件适用于半导体材料的研发、生产、制备及相关领域。

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GB/T 37031-2018 半导体照明术语 现行 发布日期 :  2018-12-28 实施日期 :  2018-12-28

本标准界定了半导体照明的通用术语。
本标准适用于采用固体发光材料为光源的照明领域。

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本文件描述了非接触涡流法测试半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的方法。
本文件适用于测试直径或边长不小于25.0 mm、厚度为0.1 mm~1.0 mm的硅、导电型砷化镓、导电型碳化硅单晶片的电阻率,以及衬底上制备的电阻不小于薄膜电阻1 000倍的薄膜薄层的电阻。单晶片电阻率的测试范围为0.001 Ω·cm~200 Ω·cm,薄膜薄层电阻的测试范围为2.0×103 Ω/□~3.0×103 Ω/□。本方法也可以扩展到其他半导体材料中,但不适用于晶片径向电阻率变化的判定。

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GB/T 31469-2015 半导体材料切削液 现行 发布日期 :  2015-05-15 实施日期 :  2016-01-01

本标准规定了半导体材料切削液的各项技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、储存及运输等要求。本标准适用于半导体材料线切割加工采用的切削液。

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GB/T 2900.32-1994 电工术语 电力半导体器件 现行 发布日期 :  1994-05-16 实施日期 :  1995-01-01

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GB/T 14844-2018 半导体材料牌号表示方法 现行 发布日期 :  2018-12-28 实施日期 :  2019-11-01

本标准规定了半导体多晶、单晶、晶片、外延片等产品的牌号表示方法。本标准适用于半导体多晶、单晶、晶片、外延片等产品的牌号表示,其他半导体材料牌号表示可参照执行。

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GB/T 15872-2013 半导体设备电源接口 现行 发布日期 :  2013-12-17 实施日期 :  2014-05-15

本标准规定了半导体设备电源接口的供电类别,选择电器附件、导线和电缆的要求等。
本标准适用于半导体设备的电源接口。

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GB/T 14113-1993 半导体集成电路封装术语 现行 发布日期 :  1993-01-21 实施日期 :  1993-08-01

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GB/T 11499-2001 半导体分立器件文字符号 现行 发布日期 :  2001-11-05 实施日期 :  2002-06-01

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GB/T 13422-2013 半导体变流器 电气试验方法 现行 发布日期 :  2013-07-19 实施日期 :  2013-12-02

本标准规定了半导体变流器的一般电气试验方法。
本标准适用于各种普通变流器,包括整流器、逆变器、兼有整流和逆变两种运行方式的变流器以及各种电力电子开关。专用变流器也可参照使用。
本标准不适用于机动车用变流器和航空电器用机载变流器。

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GB/T 249-2017 半导体分立器件型号命名方法 现行 发布日期 :  2017-05-12 实施日期 :  2017-12-01

本标准规定了半导体分立器件型号命名方法的组成原则、组成部分的符号及其意义。
本标准适用于各种半导体分立器件。

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GB/T 11685-2003 半导体X射线探测器系统和半导体X射线能谱仪的测量方法 现行 发布日期 :  2003-07-07 实施日期 :  2004-01-01

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GB/T 1555-2023 半导体单晶晶向测定方法 现行 发布日期 :  2023-08-06 实施日期 :  2024-03-01

本文件描述了X射线衍射定向和光图定向测定半导体单晶晶向的方法。
本文件适用于半导体单晶晶向的测定。X射线衍射定向法适用于测定硅、锗、砷化镓、碳化硅、氧化镓、氮化镓、锑化铟和磷化铟等大致平行于低指数原子面的半导体单晶材料的表面取向;光图定向法适用于测定硅、锗等大致平行于低指数原子面的半导体单晶材料的表面取向。

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GB/T 12560-1999 半导体器件 分立器件分规范 现行 发布日期 :  1999-08-02 实施日期 :  2000-03-01

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