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【团体标准】 半导体集成电路静态随机存储器(SRAM)测试方法

本网站 发布时间： 2026-04-16
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适用范围：

本文件规定了半导体集成电路静态随机存储器测试设备和装置、测试条件和测试方法等。 本文件适用于半导体集成电路静态随机存储器的开短路测试、电性测试、静态噪声容限测试和功能测试验证方法。

基本信息

  • 标准号：

    T/CIE 304-2025

  • 标准名称：

    半导体集成电路静态随机存储器(SRAM)测试方法

  • 英文名称：

  • 标准状态：

    现行

  • 发布日期：

    2025-03-31

  • 实施日期：

    2025-04-01

  • 出版语种：

标准分类号

  • 标准ICS号：

    31.200

  • 中标分类号：

    L56

关联标准

  • 替代以下标准：

  • 被以下标准替代：

  • 引用标准：

  • 采用标准：

出版信息

  • 页数：

  • 字数：

    37 千字

  • 开本：

其他信息

  • 起草人：

    许凯、高大为、王爽、吴永玉、陈燕宁、赵斌

  • 起草单位：

    浙江大学、北京智芯微电子科技有限公司、浙江创芯集成电路有限公司、广州粤芯半导体技术有限公司、北京芯可鉴科技有限公司、浙江大学杭州国际科创中心

  • 归口单位：

    中国电子学会

  • 提出部门：

    中国电子学会

  • 发布部门：

    中国电子学会
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