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【团体标准】 1 200 V和1 700 V电压等级绝缘栅双极型 晶体管（IGBT）驱动器

本网站 发布时间： 2023-11-06
  • T/CI 161-2022
  • 现行
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标准简介标准简介

适用范围：

本文件规定了1200V和1700V电压等级绝缘栅双极型晶体管（IGBT）驱动器的术语和定义、缩略语、基本参数、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输及储存。本文件适用于新能源、工业控制等领域应用的1200V和1700V电压等级绝缘栅双极型晶体管驱动器（以下简称“驱动器”）。

基本信息

  • 标准号：

    T/CI 161-2022

  • 标准名称：

    1 200 V和1 700 V电压等级绝缘栅双极型 晶体管（IGBT）驱动器

  • 英文名称：

    1 200 V and 1 700 V Insulated grade bipolar transistor（IGBT）gate driver

  • 标准状态：

    现行

  • 发布日期：

    2022-12-15

  • 实施日期：

    2022-12-15

  • 出版语种：

标准分类号

  • 标准ICS号：

    31.080.01

  • 中标分类号：

关联标准

  • 替代以下标准：

  • 被以下标准替代：

  • 引用标准：

  • 采用标准：

出版信息

  • 页数：

  • 字数：

  • 开本：

其他信息

  • 起草人：

    李军、王坤、陈哲、钱方平、刘伟、李景灏、周才运、张杰、郭祥辉、刘乃强、杨昌国、王文广、洪磊、沈军武、付厚、魏平、孔佳佳

  • 起草单位：

    杭州飞仕得科技股份有限公司、浙江运达风电股份有限公司、杭州得诚电力科技股份有限公司、杭州飞仕得半导体科技有限公司、杭州毕博标准化技术有限公司

  • 归口单位：

    中国国际科技促进会

  • 提出部门：

    中国国际科技促进会

  • 发布部门：

    中国国际科技促进会
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