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【团体标准】 氧化镓单晶位错密度测试方法

本网站 发布时间: 2025-12-16
  • T/CEMIA 051-2025
  • 现行
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标准简介标准简介

适用范围:

本文件规定了氧化镓单晶位错密度的测试方法。本文件适用于抛光加工后位错密度为0个/cm2~50000个/cm2的氧化镓单晶位错密度的测试,检测面为{100}、{010}、{001}面。

基本信息

  • 标准号:

    T/CEMIA 051-2025

  • 标准名称:

    氧化镓单晶位错密度测试方法

  • 英文名称:

    Test method for dislocation density of monocrystal gallium oxide
  • 标准状态:

    现行
  • 发布日期:

    2025-12-12
  • 实施日期:

    2026-01-01
  • 出版语种:

标准分类号

  • 标准ICS号:

    77.040.99
  • 中标分类号:

    H21

关联标准

  • 替代以下标准:

  • 被以下标准替代:

  • 引用标准:

  • 采用标准:

出版信息

  • 页数:

  • 字数:

  • 开本:

其他信息

  • 起草人:

    刘莹莹、夏宁、张辉、董增印、李贺、徐光伟、周选择、王元刚、何云龙、叶建东、裴艳丽、张文瑞、杨德仁、金竹、齐红基、许照原、张道华、翟小林、周大顺、魏杰、王国鹏、杨伟锋、张晓东、胡继超、张赫之、梅增霞、袁俊、刘少煜、邹兆军、黄文海
  • 起草单位:

    杭州镓仁半导体有限公司、中国电子科技集团公司第四十六研究所、中国科学技术大学、中国电子科技集团公司第十三研究所、西安电子科技大学、南京大学、中山大学、甬江实验室、浙江大学、浙江大学杭州国际科创中心、杭州富加镓业科技有限公司、进化半导体有限公司、深圳平湖实验室、华润微电子有限公司、NEXTGO EPI UG、电子科技大学、安徽大学、厦门大学、中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、镓创未来半导体科技(晋江)有限公司、大连理工大学、中国科学院东莞材料科学与技术研究院、湖北九峰山实验室、杭州芯创德半导体有限公司、西南大学、香港科技大学
  • 归口单位:

    中国电子材料行业协会
  • 提出部门:

    中国电子材料行业协会
  • 发布部门:

    中国电子材料行业协会