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- T/CASME 2000-2025 半导体外延用碳化硅涂层石墨基座技术规范
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适用范围:
本文件适用于以高纯等静压石墨为基材,经加工、纯化、化学气相沉积、表面处理、清洗等工艺过程制备的超高纯半导体外延用碳化硅石墨基座制品。
标准号:
T/CASME 2000-2025
标准名称:
半导体外延用碳化硅涂层石墨基座技术规范
英文名称:
Technical Specification for Silicon Carbide Coated Graphite Substrate for Semiconductor Epitaxy标准状态:
现行-
发布日期:
2025-06-06 -
实施日期:
2025-07-06 出版语种:
起草人:
余盛杰、廖家豪、窦坤鹏、赵世贵、杨波、朱刚、李江涛、盛后泉、杨捷、孙威、邓南军、丁雄杰、刘薇、朱亦辉、刘涛涛 、李庆甲、杨延辉、陈闻杰、李华、任国静、张亚栋起草单位:
湖南德智新材料股份有限公司、成都方大炭炭复合材料股份有限公司、江苏宏基高新材料股份有限公司、湖南泰坦未来科技有限公司、广东天域半导体股份有限公司、安徽凯威半导体科技有限公司、河南锐瓷科技有限公司、辽宁汉京半导体材料有限公司、内蒙古京航特碳科技有限公司、广东精瓷新材料有限公司、通标国华标准技术咨询(北京)有限公司、华兴中科标准技术(北京)有限公司归口单位:
中国中小商业企业协会提出部门:
中国中小商业企业协会发布部门:
中国中小商业企业协会
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