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【团体标准】 半导体外延用碳化硅涂层石墨基座技术规范

本网站 发布时间: 2025-06-12
  • T/CASME 2000-2025
  • 现行
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标准简介标准简介

适用范围:

本文件适用于以高纯等静压石墨为基材,经加工、纯化、化学气相沉积、表面处理、清洗等工艺过程制备的超高纯半导体外延用碳化硅石墨基座制品。

基本信息

  • 标准号:

    T/CASME 2000-2025

  • 标准名称:

    半导体外延用碳化硅涂层石墨基座技术规范

  • 英文名称:

    Technical Specification for Silicon Carbide Coated Graphite Substrate for Semiconductor Epitaxy
  • 标准状态:

    现行
  • 发布日期:

    2025-06-06
  • 实施日期:

    2025-07-06
  • 出版语种:

标准分类号

  • 标准ICS号:

    29.045
  • 中标分类号:

    H80

关联标准

  • 替代以下标准:

  • 被以下标准替代:

  • 引用标准:

  • 采用标准:

出版信息

  • 页数:

  • 字数:

  • 开本:

其他信息

  • 起草人:

    余盛杰、廖家豪、窦坤鹏、赵世贵、杨波、朱刚、李江涛、盛后泉、杨捷、孙威、邓南军、丁雄杰、刘薇、朱亦辉、刘涛涛、李庆甲、杨延辉、陈闻杰、李华、任国静、张亚栋
  • 起草单位:

    湖南德智新材料股份有限公司、成都方大炭炭复合材料股份有限公司、江苏宏基高新材料股份有限公司、湖南泰坦未来科技有限公司、广东天域半导体股份有限公司、安徽凯威半导体科技有限公司、河南锐瓷科技有限公司、辽宁汉京半导体材料有限公司、内蒙古京航特碳科技有限公司、广东精瓷新材料有限公司、通标国华标准技术咨询(北京)有限公司、华兴中科标准技术(北京)有限公司
  • 归口单位:

    中国中小商业企业协会
  • 提出部门:

    中国中小商业企业协会
  • 发布部门:

    中国中小商业企业协会