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【团体标准】 碳化硅衬底研磨抛光工艺技术规范

本网站 发布时间： 2026-03-20
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适用范围：

本文件规定了碳化硅衬底研磨抛光工艺的技术要求、工艺流程、工艺参数、质量控制、检验方法、标志、运输和贮存等。 本文件适用于碳化硅衬底研磨抛光加工。

基本信息

  • 标准号：

    T/CI 609-2024

  • 标准名称：

    碳化硅衬底研磨抛光工艺技术规范

  • 英文名称：

    Technical specification for grinding and polishing process of silicon carbide substrate

  • 标准状态：

    现行

  • 发布日期：

    2024-11-25

  • 实施日期：

    2024-11-25

  • 出版语种：

标准分类号

  • 标准ICS号：

    29.045

  • 中标分类号：

    H83

关联标准

  • 替代以下标准：

  • 被以下标准替代：

  • 引用标准：

  • 采用标准：

出版信息

  • 页数：

  • 字数：

    19 千字

  • 开本：

其他信息

  • 起草人：

    杨佳葳、王宇、黄朝辉、杨云龙、刘东立、侯晓蕊、赵丽丽、张佳奇、GUHAIYANG(顾海洋）、陈基生、顾鹏、龚涛、张晓洪、李斌、高阳、段树国、郭伟、邓耀敏、殷祥凯、孙志超、刘西洋、袁丽、雷沛、俞小英

  • 起草单位：

    湖南宇晶机器股份有限公司、眉山博雅新材料股份有限公司、扬帆半导体（江苏）有限公司、江苏京创先进电子科技有限公司、西湖仪器(杭州)技术有限公司、山西烁科晶体有限公司、哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司、广东聚芯半导体材料有限公司、杭州众硅电子科技有限公司、厦门中芯晶研半导体有限公司

  • 归口单位：

    中国国际科技促进会

  • 提出部门：

    中国国际科技促进会

  • 发布部门：

    中国国际科技促进会
  • 其它标准
  • 推荐标准

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