【团体标准】 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiCMOSFET)功率器件开关动态测试方法

得益于高压、高频、高温等优异特性，SiC功率器件在交通电气化、新能源发电等领域具有不可替代的作用。然而，SiC功率器件的额定电压更高、开关速度更快、工作温度更宽，突破了传统Si器件的技术边界，传统Si器件的开关动态测试方法，已无法满足SiC器件的新兴发展需求，给SiC功率器件的芯片设计、封装测试和装备研发，带来了严峻挑战。现有的SiC功率器件开关动态测试，由于缺乏定量的技术规范和测试方法，测试过程难以保证足够的精准和稳定；由于缺乏广泛的技术共识和行业认同，测试结果难以实现有效的溯源和评比。如何实现SiC功率器件的精准开关动态测试，已成为第三代半导体行业的痛点问题。为了服务SiC功率器件行业的良性发展，应对SiC功率器件开关测试的紧迫需求，制定本文件。本文件详细规定了SiCMOSFET功率器件开关动态测试的电路、条件、仪器和方法。局限于当前对SiCMOSFET功率器件的认知程度，以及该产品生产与应用所处的发展阶段，可能还存在一些不足的地方，后续将根据技术进展不断进行完善和升级。