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【团体标准】 碳化硅单晶生长技术规范顶部籽晶溶液生长法（TSSG）

本网站 发布时间： 2025-07-24
  • T/CIET 1347-2025
  • 现行
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标准简介标准简介

适用范围：

本文件规定了的顶部籽晶溶液生长法的碳化硅单晶生长的工艺原理、设备要求、工艺过程、质量控制、安全与环保等内容。本文件适用于顶部籽晶溶液生长法的碳化硅单晶生长。

基本信息

  • 标准号：

    T/CIET 1347-2025

  • 标准名称：

    碳化硅单晶生长技术规范顶部籽晶溶液生长法（TSSG）

  • 英文名称：

  • 标准状态：

    现行

  • 发布日期：

    2025-05-28

  • 实施日期：

    2025-05-28

  • 出版语种：

标准分类号

  • 标准ICS号：

    29.045

  • 中标分类号：

关联标准

  • 替代以下标准：

  • 被以下标准替代：

  • 引用标准：

  • 采用标准：

出版信息

  • 页数：

  • 字数：

  • 开本：

其他信息

  • 起草人：

    吴永利、王宇、胡动力、梁刚强、袁振洲、侯晓蕊、顾鹏、彭亦奇、陈颖超、马焕入、雷沛、袁丽、刘岩、汪贤峰、冀云、徐敬铭、包瑾、孙晓楠

  • 起草单位：

    沈阳卓睿企业咨询管理有限公司、眉山博雅新材料股份有限公司、连科半导体有限公司、苏州清橙半导体科技有限公司、江苏超芯星半导体有限公司、山西烁科晶体有限公司、通标中研标准化技术研究院（北京）有限公司、途邦认证有限公司

  • 归口单位：

    中国国际经济技术合作促进会

  • 提出部门：

    中国国际经济技术合作促进会

  • 发布部门：

    中国国际经济技术合作促进会
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