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【团体标准】 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）直流参数测试方法

本网站 发布时间： 2026-01-21
  • T/CS 213-2025
  • 现行
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标准简介标准简介

适用范围：

本文件描述了金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）主要直流参数的测试方法。

基本信息

  • 标准号：

    T/CS 213-2025

  • 标准名称：

    金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）直流参数测试方法

  • 英文名称：

    Test method for DC parameters of metal-oxide-semiconductor field-effect transistor（MOSFET）

  • 标准状态：

    现行

  • 发布日期：

    2026-01-08

  • 实施日期：

    2026-01-23

  • 出版语种：

标准分类号

  • 标准ICS号：

    31.080.99

  • 中标分类号：

关联标准

  • 替代以下标准：

  • 被以下标准替代：

  • 引用标准：

  • 采用标准：

出版信息

  • 页数：

  • 字数：

  • 开本：

其他信息

  • 起草人：

    周国成、汪翱翔、戴九梅、钱秋茹、钱晨凯、窦云轩、王梁、袁宝弟、管新辰、钱裕香、周春晓、沈嘉琦、刘春苗、沈宏军、阮佟、张悦

  • 起草单位：

    无锡矽鹏半导体检测有限公司、常州佑仕达智能装备有限公司、中微龙图电子科技无锡有限责任公司、无锡市软测认证有限公司、扬州亿芯微电子有限公司、福思特电子商务（南京）有限公司

  • 归口单位：

    中国商品学会

  • 提出部门：

    中国商品学会

  • 发布部门：

    中国商品学会
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