【团体标准】 4H碳化硅衬底及外延层缺陷图谱

本网站发布时间： 2023-11-06

T/CASAS 004.2-2018
现行
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标准简介

适用范围：

由于4H-SiC缺陷特别是4H-SiC外延缺陷与常见的其它半导体缺陷形状、类型、起因因外延生长模式的不同而有所不同或完全不同，而且目前尚未有适用的国家标准和行业标准，因此，为了规范4H-SiC缺陷术语和定义，特制定本标准。本标准由第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）制定发布，版权归CASA所有，未经CASA许可不得随意复制；其他机构采用本标准的技术内容制定标准需经CASA允许；任何单位或个人引用本标准的内容需指明本标准的标准号。

基本信息

标准号：
T/CASAS 004.2-2018
标准名称：
4H碳化硅衬底及外延层缺陷图谱
英文名称：
The Metallographs Collection for Defects in both 4H-SiC Substrates and Epilayers
标准状态：
现行
发布日期：
2018-11-20
实施日期：
2018-11-20
出版语种：

标准分类号

标准ICS号：
31.080.01
中标分类号：

关联标准

替代以下标准：
被以下标准替代：
引用标准：
采用标准：

出版信息

页数：
字数：
开本：

其他信息

起草人：
孙国胜、杨霏、柏松、许恒宇、李诚瞻、高玉强、冯淦、胡小波、张乐年、房玉龙
起草单位：
东莞市天域半导体科技有限公司、全球能源互联网研究院有限公司、中国电子科技集团公司第五十五研究所、中国科学院微电子研究所、株洲中车时代电气股份有限公司、山东天岳晶体材料有限公司、瀚天天成电子科技(厦门)有限公司、山东大学、台州市一能科技有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、深圳第三代半导体研究院
归口单位：
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
提出部门：
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
发布部门：
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟

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