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【团体标准】 制备碳化硅半导体材料用化学气相沉积法(CVD)外延设备

本网站 发布时间: 2023-11-06
  • T/ZJATA 0017-2023
  • 现行
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标准简介标准简介

适用范围:

本文件规定了制备碳化硅半导体材料用化学气相沉积法(CVD)外延设备(以下简称碳化硅外延设备)的产品分类、标记、组成及基本参数、工作条件、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输与贮存、质量承诺。本文件适用于采用化学气相沉积法(CVD)技术加工100mm(4英寸)、150mm(6英寸)和200mm(8英寸)SiC晶片的碳化硅外延设备。

基本信息

  • 标准号:

    T/ZJATA 0017-2023

  • 标准名称:

    制备碳化硅半导体材料用化学气相沉积法(CVD)外延设备

  • 英文名称:

  • 标准状态:

    现行
  • 发布日期:

    2023-06-20
  • 实施日期:

    2023-07-20
  • 出版语种:

标准分类号

  • 标准ICS号:

    31.220.01
  • 中标分类号:

关联标准

  • 替代以下标准:

  • 被以下标准替代:

  • 引用标准:

  • 采用标准:

出版信息

  • 页数:

  • 字数:

  • 开本:

其他信息

  • 起草人:

    曹建伟、朱亮、傅林坚、张俊、周建灿、刘毅、沈文杰、金玲飞、刘丹丹、余婷、楼科利、朱盛霞
  • 起草单位:

    浙江求是半导体设备有限公司、浙江晶盛机电股份有限公司、浙江求是创芯半导体设备有限公司、中国质量认证中心杭州分中心
  • 归口单位:

    浙江省分析测试协会
  • 提出部门:

    浙江省分析测试协会
  • 发布部门:

    浙江省分析测试协会