开发票 会员介绍
购物车 400-168-0010

标准详细信息 去购物车结算

【团体标准】 SiCMOSFET阈值电压测试方法——电流源单点测试法

本网站 发布时间： 2025-04-23
  • T/IAWBS 022-2024
  • 现行
  • 定价： 0元 / 折扣价： 0 元
  • 在线阅读
开通会员免费在线看70000余条国内标准，赠送文本下载次数，单本最低仅合13.3元！还可享标准出版进度查询、定制跟踪推送、标准查新等超多特权！   查看详情>>
标准简介标准简介

适用范围：

本文件规定了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiCMOSFET)阈值电压测试方法。本文件适用于SiCMOSFET阈值电压的测量，包含测试原理，测试电路以及测试条件。

基本信息

  • 标准号：

    T/IAWBS 022-2024

  • 标准名称：

    SiCMOSFET阈值电压测试方法——电流源单点测试法

  • 英文名称：

    SiC MOSFET threshold voltage test method——current source single point testing method

  • 标准状态：

    现行

  • 发布日期：

    2024-12-23

  • 实施日期：

    2024-12-30

  • 出版语种：

标准分类号

  • 标准ICS号：

    31.080.30

  • 中标分类号：

    L40/49

关联标准

  • 替代以下标准：

  • 被以下标准替代：

  • 引用标准：

  • 采用标准：

出版信息

  • 页数：

  • 字数：

  • 开本：

其他信息

  • 起草人：

    顾晓健，贾仁需，王贵豹，陈开宇，邓小川，张峰，李诚瞻，钮应喜，林信南

  • 起草单位：

    瑶芯微电子（上海）有限公司，西安电子科技大学，电子科技大学，厦门大学，株洲中车时代半导体有限公司，安徽工程大学

  • 归口单位：

    中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟

  • 提出部门：

    中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟

  • 发布部门：

    中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟
  • 其它标准
  • 推荐标准

经营许可证编号 京ICP备16035570号-4 版权所有 侵权必究