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【团体标准】 压接型绝缘栅双极晶体管(IGBT)模块高温反偏试验规范

本网站 发布时间: 2023-11-06
  • T/CES 085-2021
  • 现行
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标准简介标准简介

适用范围:

本文件规定了压接型绝缘栅双极晶体管(IGBT)模块高温反偏试验的试验电路、设备要求、试验条件、试验步骤、接收判据等要求。本文件适用于电网电力电子装置用压接型IGBT模块,其他新型IGBT模块如增强注入型IGBT(IEGT)、双模式绝缘栅晶体管(BIGT)等模块也可参照此文件。

基本信息

  • 标准号:

    T/CES 085-2021

  • 标准名称:

    压接型绝缘栅双极晶体管(IGBT)模块高温反偏试验规范

  • 英文名称:

    Test specification of high temperature reverse bias for press pack insulated-gate bipolar transistor modules
  • 标准状态:

    现行
  • 发布日期:

    2021-09-28
  • 实施日期:

    2021-09-30
  • 出版语种:

标准分类号

  • 标准ICS号:

    31.080.01
  • 中标分类号:

    L40

关联标准

  • 替代以下标准:

  • 被以下标准替代:

  • 引用标准:

  • 采用标准:

出版信息

  • 页数:

  • 字数:

  • 开本:

其他信息

  • 起草人:

    李尧圣、陈艳芳、李翠、李金元、邓二平、郭春生、贺庭玉、季凌云、张雷、万超群、魏争
  • 起草单位:

    全球能源互联网研究院有限公司、北京工业大学、华北电力大学、杭州中安电子有限公司、西安美泰电气科技有限公司、株洲中车时代半导体有限公司、国网经济技术研究院有限公司
  • 归口单位:

    中国电工技术学会
  • 提出部门:

    中国电工技术学会
  • 发布部门:

    中国电工技术学会