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【团体标准】 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiCMOSFETs）高温栅极恒定偏置应力和交替偏置应力试验方法

本网站 发布时间： 2026-02-06
  • T/CASME 2136-2026
  • 现行
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标准简介标准简介

适用范围：

本文件适用于碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiCMOSFET）分立器件（其他封装产品可参照执行）。

基本信息

  • 标准号：

    T/CASME 2136-2026

  • 标准名称：

    碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiCMOSFETs）高温栅极恒定偏置应力和交替偏置应力试验方法

  • 英文名称：

    High temperature gate constant bias and alternating bias test method for silicon carbide metal oxide semiconductor field effect transistors (SiC MOSFETs)

  • 标准状态：

    现行

  • 发布日期：

    2026-01-30

  • 实施日期：

    2026-03-01

  • 出版语种：

标准分类号

  • 标准ICS号：

    31.080.01

  • 中标分类号：

    L40/49

关联标准

  • 替代以下标准：

  • 被以下标准替代：

  • 引用标准：

  • 采用标准：

出版信息

  • 页数：

  • 字数：

  • 开本：

其他信息

  • 起草人：

    张国斌、柏松、张见营、张珺、郭宇锋、李银乐、刘红辉、裘俊庆、杨程、黄润华、陈谷然、李小建、袁俊、李华、任国静、张亚栋

  • 起草单位：

    南京第三代半导体技术创新中心有限公司、中国计量科学研究院、南京邮电大学、工业和信息化部电子第五研究所、扬州扬杰电子科技股份有限公司、江苏捷捷微电子股份有限公司、湖北九峰山实验室、华兴中科标准技术（北京）有限公司、通标国华标准技术咨询（北京）有限公司

  • 归口单位：

    中国中小商业企业协会

  • 提出部门：

    中国中小商业企业协会

  • 发布部门：

    中国中小商业企业协会
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  • 推荐标准

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