【团体标准】高压MOSFET用200 mm硅外延片

本网站发布时间： 2023-11-06

T/ZZB 2833-2022
现行
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标准简介

适用范围：

本文件规定了高压MOSFET用200mm硅外延片（以下简称硅外延片）的术语和定义、基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、质量证明书、运输和贮存及质量承诺。本文件适用于直径为200mm、外延层厚度为40μm～80μm、在n型重掺砷硅抛光片上生长n型掺磷外延层、晶向<100>的硅外延片。产品主要用于制作高压金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）器件（简称高压MOSFET）。

基本信息

标准号：
T/ZZB 2833-2022
标准名称：
高压MOSFET用200 mm硅外延片
英文名称：
200 mm silicon epitaxial wafers for high voltage MOSFET
标准状态：
现行
发布日期：
2022-12-08
实施日期：
2022-12-31
出版语种：

标准分类号

标准ICS号：
29.045
中标分类号：
H82

关联标准

替代以下标准：
被以下标准替代：
引用标准：
采用标准：

出版信息

页数：
字数：
开本：

其他信息

起草人：
本文件主要起草人：许峰、李慎重、李刚、刘红方、朱华英、李方虎、李艳玲
起草单位：
本文件由宁波市标准化研究院牵头组织制定本文件主要起草单位：浙江金瑞泓科技股份有限公司本文件参与起草单位：金瑞泓科技（衢州）有限公司
归口单位：
浙江省质量协会
提出部门：
浙江省质量协会
发布部门：
浙江省质量协会

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