【团体标准】三相智能电表用氮化镓场效应晶体管通用技术规范

本网站发布时间： 2023-11-06

T/CASAS 022-2022
现行
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标准简介

适用范围：

本文件规定了应用于三相智能电表的氮化镓场效应晶体管（以下简称“GaN晶体管”）的术语和定义、符号和缩略语、技术要求、试验方法、检测规则以及包装、运输及储存。本文件适用于三相智能电表用关态源漏电压V_DS额定值为900V、系统输出功率范围20W-100W、工作频率40kHz-500kHz的氮化镓场效应晶体管。小型线路终端等应用领域电源模块中的晶体管可参考使用。

基本信息

标准号：
T/CASAS 022-2022
标准名称：
三相智能电表用氮化镓场效应晶体管通用技术规范
英文名称：
Technical specification for gallium nitride field effect transistor used in line terminal units and triphase electricity meters
标准状态：
现行
发布日期：
2022-12-09
实施日期：
2022-12-09
出版语种：

标准分类号

标准ICS号：
31.080.01
中标分类号：

关联标准

替代以下标准：
被以下标准替代：
引用标准：
采用标准：

出版信息

页数：
字数：
开本：

其他信息

起草人：
王祥、洪海敏、温雷、曾凡明、李汝冠、贺致远、孙川、马胜国、武占侠、顾才鑫、谢健兴、乔良、李胜、董泽政、汪青、郑智斌、高伟
起草单位：
深圳智芯微电子科技有限公司、深圳市国电科技通信有限公司、珠海镓未来科技有限公司、广州广电计量检测股份有限公公司、工业和信息化电子第五研究所、泰克科技（中国）有限公司、佛山市国星光电股份有限公司、东莞南方半导体科技有限公司、浙江大学、南方科技大学、厦门华联电子股份有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
归口单位：
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
提出部门：
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
发布部门：
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟

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