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【团体标准】 半导体晶圆制造用等离子体刻蚀设备通用技术规范

本网站 发布时间： 2026-02-02
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适用范围：

本文件规定了半导体晶圆制造用等离子体刻蚀设备的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输与贮存。 本文件适用于半导体晶圆制造用等离子体刻蚀设备。

基本信息

  • 标准号：

    T/CI 1181-2025

  • 标准名称：

    半导体晶圆制造用等离子体刻蚀设备通用技术规范

  • 英文名称：

    General technical specification for plasma etching equipment for semiconductor wafer fabrication

  • 标准状态：

    现行

  • 发布日期：

    2025-09-30

  • 实施日期：

    2025-09-30

  • 出版语种：

标准分类号

  • 标准ICS号：

    31.080.99

  • 中标分类号：

关联标准

  • 替代以下标准：

  • 被以下标准替代：

  • 引用标准：

  • 采用标准：

出版信息

  • 页数：

  • 字数：

    21 千字

  • 开本：

其他信息

  • 起草人：

    赵公魄、田修波、莫科伟、张心凤、朱昆、胡恒宁、耿慧远、杜昊、姜金龙、陈亚梯、丁雪苗、伍志军、夏正卫、李彬、施杰、唐正强、邵明昊、王树晓、赵小安

  • 起草单位：

    珠海宝丰堂半导体股份有限公司、新铂科技(东莞)有限公司、吉姆西半导体科技(无锡)股份有限公司、安徽纯源镀膜科技有限公司、广东省新兴激光等离子体技术研究院、成都工具研究所有限公司、哈尔滨工业大学、贵州大学、烟台先进材料与绿色制造山东省实验室、深圳市瀚强科技股份有限公司

  • 归口单位：

    中国国际科技促进会

  • 提出部门：

    中国国际科技促进会

  • 发布部门：

    中国国际科技促进会
  • 其它标准
  • 推荐标准

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