【团体标准】碳化硅外延层载流子浓度测定_汞探针电容-电压法

本网站发布时间： 2023-11-06

T/IAWBS 003-2017
现行
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标准简介

适用范围：

本标准规定了碳化硅（4H-SiC）外延层载流子浓度的测定方法─汞探针电容－电压法。本标准适用于单层同质碳化硅外延层载流子浓度的测量，要求测量的碳化硅外延层厚度必须大于测试偏压下耗尽层的宽度。载流子浓度测量范围为：1×1014cm-3～5×1017cm-3。本标准也可适用于碳化硅衬底载流子浓度的测量。

基本信息

标准号：
T/IAWBS 003-2017
标准名称：
碳化硅外延层载流子浓度测定_汞探针电容-电压法
英文名称：
标准状态：
现行
发布日期：
2017-12-20
实施日期：
2017-12-31
出版语种：

标准分类号

标准ICS号：
29.045
中标分类号：

关联标准

替代以下标准：
被以下标准替代：
引用标准：
采用标准：

出版信息

页数：
字数：
开本：

其他信息

起草人：
冯淦、陈志霞、钮应喜、张新河、李赟、陆敏、彭同华、刘振洲
起草单位：
中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、瀚天天成电子科技（厦门）有限公司、全球能源互联网研究院、东莞天域半导体科技有限公司、北京天科合达半导体股份有限公司、中国电子科技集团公司第五十五研究所
归口单位：
中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟
提出部门：
中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟
发布部门：
中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟

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