【国家标准】硅单晶电阻率测定方法

本网站发布时间： 2021-12-01

GB/T 1551-2009
被代替
定价：43元 / 折扣价： 37 元
加购物车
在线阅读

开通会员免费在线看70000余条国内标准，赠送文本下载次数，单本最低仅合13.3元！还可享标准出版进度查询、定制跟踪推送、标准查新等超多特权！查看详情>>

标准简介

文前页下载

适用范围：

本方法规定了用直排四探针法测量硅单晶电阻率的方法。本方法适用于测量试样厚度和从试样边缘与任一探针端点的最近距离二者均大于探针间距的４倍的硅单晶体电阻率以及测量直径大于探针间距10倍、厚度小于探针间距４倍的硅单晶圆片的电阻率。本方法可测定的硅单晶电阻率范围为1×10 -3 Ω·cm～3×10 3 Ω·cm。

基本信息

标准号：
GB/T 1551-2009
标准名称：
硅单晶电阻率测定方法
英文名称：
Test method for measuring resistivity of monocrystal silicon
标准状态：
被代替
发布日期：
2009-10-30
实施日期：
2010-06-01
出版语种：
中文简体

标准分类号

标准ICS号：
29.045
中标分类号：
H80

关联标准

替代以下标准：
被以下标准替代：
引用标准：
采用标准：
《硅片电阻率测定四探针法》;《硅棒电阻率测定两探针法》 MOD 修改采用

出版信息

页数：
24 页
字数：
35 千字
开本：
大16 开

其他信息

起草人：
李静何秀坤张继荣段曙光
起草单位：
信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研究所
归口单位：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
提出部门：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
发布部门：
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会

其它标准

上一篇： GB/T 1551-1995 硅、锗单晶电阻率测定　直流两探针法
下一篇： GB/T 1551-2021 硅单晶电阻率的测定　直排四探针法和直流两探针法

推荐标准
国家标准计划

【国家标准】 硅单晶电阻率测定方法