本文件描述了测量高纯锗晶体基本特征的术语和试验方法。包括电活性杂质净浓度(NA-ND)、深能级杂质中心浓度和晶体学特性。本文件适用于γ射线和X射线辐射探测器用高纯锗晶体。此锗单晶的电活性杂质中心的净浓度小于1011 cm-3,通常是1010 cm-3量级。本文件中所列测试方法并非法定方法,但在工业中得到了广泛的应用,并为探测器制造商提供了可验证的信息,满足了制造商的需求。在GB/T 7167-2008和GB/T 11685-2003中给出了完整的组装锗探测器的试验方法。
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