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本标准规定了俄歇电子能谱和X射线光电子能谱横向分辨率、分析面积和分析器所能检测到的样品面积的测量方法。
本标准适用于俄歇电子能谱和X射线光电子能谱横向分辨率、分析面积和分析器的检测。

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本标准规定了溅射深度剖析中测量溅射深度的准则。
本标准适用于结合离子轰击剥离部分固体样品的表面化学分析技术，通常溅射深度可达几微米。

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针对于常规分析使用的电子枪能量至少为2 keV的俄歇电子能谱仪，本标准规定了一种评估其强度标的重复性和恒定性的方法。它仅适用于配备了溅射清洁用离子枪的仪器。本标准并非旨在成为一种强度/能量响应函数的校准，这种校准可由仪器厂商或者其他机构制定。本方法提供数据以评估和确认仪器使用中强度/能量响应函数保持恒定的精度，对可影响这种恒定性的一些仪器设置给出了指导。

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本标准规定了辉光放电原子发射光谱法分析锌和/或铝基合金镀层中镀层厚度、镀层质量(单位面积)和金属镀层中化学成分。需要考虑的合金化元素有镍、铁、硅、铅和锑。
本标准适用的元素质量分数范围:锌(0.01%～100%)，铝(0.01%～100%)，镍(0.01%～20%)，铁(0.01%～20%)，硅(0.01%～10%)，铅(0.005%～2%)，锑(0.005%～2%)。

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本标准适用于X射线光电子能谱仪的操作者分析典型样品。本标准帮助操作者完成整个分析过程，包括样品处理，谱仪校准和设定以及宽扫描谱和窄扫描谱的采集,并给出了定量和准备最终报告的建议。

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本标准提供了表面化学分析样品安装和表面处理方法的指导。目的是帮助分析人员理解在使用俄歇电子能谱、二次离子质谱和X射线光电子能谱等表面分析技术进行分析时，所必需的专门样品处理条件。

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本标准规定了高通量基因测序技术的术语与定义，测序的原理、技术指标、相关主要仪器、测序试剂及配制和测序方法的要求。
本标准适用于对动物组织、血液、粪便、口腔黏膜、毛发、植物组织、土壤、微生物等生物样品进行高通量基因测序。
本标准适用于单向测序、双向测序、混合样品测序三种类型的测序，也适用于表达谱测序、ChIP测序、癌症研究和分型、miRNA测序、微生物元基因组、病菌种类的检测、免疫学和免疫疾病工作、甲基化测序、序列多态性检测、临床基因诊断、个性化测序和基因组测序。

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本标准规定了使用电子探针波谱法进行元素面分析的方法。本标准规范了移动电子束对试样扫描的面分析（电子束面分析）和移动试样台的面分析（大面积面分析）两种模式的选择，给出了五种数据处理的方式：原始X射线强度法、K值法、校正曲线法、对比法和基体校正法。

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本标准详细规定了用扇形磁场或四极杆式二次离子质谱仪对硅中砷进行深度剖析的方法，以及用触针式轮廓仪或光学干涉仪深度定标的方法。本标准适用于砷原子浓度范围从1×1016 atoms/cm3～2.5×1021 atoms/cm3的单晶硅、多晶硅、非晶硅样品，坑深在50 nm及以上。

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本标准规定了利用辉光放电发射光谱测定金属氧化物膜厚度、单位面积质量和金属氧化物膜化学组成的方法。本方法适用于测定金属上厚度为1 nm～10 000 nm的氧化物膜，氧化物的金属元素包括铁、铬、镍、铜、钛、硅、钼、锌、镁、锰和铝中的一种或多种。其他可测元素还包括氧、碳、氮、氢、磷和硫。

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本标准规定了在电子激发绝缘样品的俄歇电子能谱测量中，描述荷电控制方法所需的最少信息，该信息也一并报告在分析结果中。参见附录A提供的现有的AES分析前或分析期间荷电控制的有用方法。表A.1对各种方法和途径进行了总结，并依方法的简单性排列。表A.1中的一些方法对大多数仪器是可用的，一部分则需要特殊的硬件，还有部分可能涉及样品的重装或变动。

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