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GB/T 2523-2022 冷轧金属薄板和薄带表面粗糙度、峰值数和波纹度测量方法 现行 发布日期 :  2022-07-11 实施日期 :  2023-02-01

本文件规定了冷轧金属薄板和薄带表面粗糙度、峰值数和波纹度的原理、试样、测量要求、测量程序、测量结果数值的修约和测试报告。本文件适用于冷轧金属薄板和薄带表面粗糙度、峰值数和波纹度的测量。也适用于具有表面金属镀层的冷轧金属薄板和薄带。

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本标准规定了无应变、无外加磁场条件下铜(Cu)、铜-镍(Cu-Ni)、铜/铜-镍(Cu/Cu-Ni)基体和铝(Al)基体的铌-钛(Nb-Ti)和铌三锡(Nb3Sn)复合超导体剩余电阻比(RRR)的测试方法。本标准适用于剩余电阻比值低于350、横截面小于3 mm2、具有矩形或圆形横截面的一体化超导体的剩余电阻比的测量。对于Nb3Sn复合超导体,样品经反应热处理。

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本标准规定了单晶和铸造多晶的硅片及硅锭的载流子复合寿命的非接触微波反射光电导衰减测试方法。本标准适用于硅锭和经过抛光处理的n型或p型硅片(当硅片厚度大于1 mm时,通常称为硅块)载流子复合寿命的测试。在电导率检测系统灵敏度足够的条件下,本标准也可用于测试切割或经过研磨、腐蚀的硅片的载流子复合寿命。通常,被测样品的室温电阻率下限在0.05 Ω·cm~10 Ω·cm之间,由检测系统灵敏度的极限确定。载流子复合寿命的测试范围为大于0.1 μs,可测的最短寿命值取决于光源的关断特性及衰减信号测定器的采样频率,最长可测值取决于样品的几何条件及其表面的钝化程度。

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GB/T 3249-1982 难熔金属及化合物粉末粒度的测定方法—费氏法 被代替 发布日期 :  1982-06-21 实施日期 :  1983-03-01

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GB/T 351-1995 金属材料电阻系数测量方法 被代替 发布日期 :  1995-04-11 实施日期 :  1995-12-01

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GB/T 3655-2008 用爱泼斯坦方圈测量电工钢片(带)磁性能的方法 被代替 发布日期 :  2008-10-10 实施日期 :  2009-05-01

本标准适用于晶粒取向和晶粒无取向电工钢片(带)频率上限为400 Hz的交流磁性能的测量及直流磁性能的测量。
本标准的目的是明确用爱泼斯坦方圈测量电工钢片(带)磁性能的通则和技术细节。
爱泼斯坦方圈适用于测量由各级别电工钢片(带)制取的试样。其交流磁性能的测定是在给定的磁极化强度峰值(或磁场强度的峰值)和给定的频率及正弦感应电压的情况下进行的。
测量在环境温度23 ℃±5℃ 下进行,测试前试样应先退磁。
更高频率下的测量应根据GB/T 10129的规定进行。

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GB/T 3656-2008 软磁材料矫顽力的抛移测量方法 被代替 发布日期 :  2008-10-10 实施日期 :  2009-05-01

本标准规定了软磁材料矫顽力的术语和定义、试样制备、试验设备、试验程序、结果表示和测试报告。
本标准适用于环境温度在23 ℃±5 ℃下,软磁材料的长形试样在螺线管中稳定饱和磁化状态时,用抛移法测量矫顽力HC。

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GB/T 3658-1990 软磁合金交流磁性能测量方法 被代替 发布日期 :  1990-07-21 实施日期 :  1991-07-01

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GB/T 10562-1989 金属材料超低膨胀系数测量方法 光干涉法 被代替 发布日期 :  1989-03-22 实施日期 :  1990-01-01

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GB/T 11068-1989 砷化镓外延层载流子浓度电容-电压测量方法 被代替 发布日期 :  1989-03-31 实施日期 :  1990-02-01

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GB/T 11073-1989 硅片径向电阻率变化的测量方法 被代替 发布日期 :  1989-03-31 实施日期 :  1990-02-01

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GB/T 4339-1999 金属材料热膨胀特征参数的测定 被代替 发布日期 :  1999-11-01 实施日期 :  2000-08-01

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GB/T 4060-1983 硅多晶真空区熔基硼检验方法 被代替 发布日期 :  1983-12-20 实施日期 :  1984-12-01

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GB/T 32280-2015 硅片翘曲度测试自动非接触扫描法 被代替 发布日期 :  2015-12-10 实施日期 :  2017-01-01

本标准规定了硅片翘曲度的非破坏性、自动非接触扫描测试方法。本标准适用于直径不小于50 mm,厚度不小于100 μm的洁净、干燥的切割、研磨、腐蚀、抛光、刻蚀、外延或其他表面状态硅片的翘曲度测试。本方法可用于监控因热效应和(或)机械效应引起的硅片翘曲,也可用于砷化镓、蓝宝石等其他半导体晶片的翘曲度测试。

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GB/T 21227-2007 交流损耗测量 Cu/Nb-Ti多丝复合线磁滞损耗的磁强计测量法 被代替 发布日期 :  2007-11-14 实施日期 :  2008-05-01

本标准描述了运用直流或低扫场速率磁强计方法对Cu/NbTi多丝复合线磁滞损耗进行测量的相关事宜。本标准所针对的是Cu/NbTi多丝复合导体中磁滞损耗的测量。测量应在4.2 K或4.2 K附近的温度下针对圆形线进行。直流或低扫场速率磁强计法使用的是超导量子干涉器件(SQUID)磁强计或振动样品磁强计(VSM)。如果测量中发现用不同的(但均校准过的)磁强计所得的结果存在差异,则以VSM在外推至零扫场速率下测量的结果为准。

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