本标准规定了ⅢⅤ族氮化物LED外延片内量子效率的测试方法。
本标准适用于基于ⅢⅤ族氮化物的量子阱LED内量子效率的测试。

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本标准规定了制备氮化镓薄膜外延片及其他用途的蓝宝石单晶切割片、研磨片、抛光片(简称衬底片)厚度和厚度变化是否满足标准限度要求的测试方法。
本标准适用于蓝宝石衬底片厚度及厚度变化的测试。

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本标准规定了太阳能电池用硅片（以下简称硅片）的表面粗糙度及切割线痕的接触式或非接触式轮廓测试方法。
本标准适用于通过线切工艺加工生产的单晶和多晶硅片。如果需要适用于其他产品，则需相关各方协商同意。

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本标准规定了蓝宝石切割片、研磨片、抛光片（以下简称蓝宝石衬底片)翘曲度的测试方法。
本标准适用于直径50.8 mm～304.8 mm，厚度为不小于200 μm的蓝宝石衬底片翘曲度的测试。

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本标准规定了电子装联高质量内部互连用焊锡膏（简称焊锡膏)的分类、技术要求、试验方法、检验规则和产品的标志、包装、运输、储存。
本标准适用于表面组装元器件和电子电路互连时软钎焊所使用的焊锡膏。

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本标准规定了电子装联高质量内部互连用焊料的分类、技术要求、试验方法、检验规则和产品的标志、包装、运输、储存。
本标准适用于电子产品组装中钎焊连接用的焊料，包括含铅焊料、无铅焊料和特殊焊料。

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 本标准规定了利用双晶X射线衍射仪测试氮化镓单晶衬底片摇摆曲线半高宽的方法。  本标准适用于化学气相沉积及其他方法生长制备的氮化镓单晶衬底片。

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 本标准规定了用原子力显微镜测试氮化镓单晶衬底表面粗糙度的方法。  本标准适用于化学气相沉积及其他方法生长制备的表面粗糙度小于10 nm的氮化镓单晶衬底。其他具有相似表面结构的半导体单晶衬底应用本标准提供的方法进行测试前，需经测试双方协商达成一致。

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本标准规定了碳化硅单晶抛光片的平整度，即总厚度变化（TTV)、局部厚度变化（LTV)、弯曲度（Bow)、翘曲度（Warp)的测试方法。本标准适用于直径为50.8 mm、76.2 mm、100 mm，厚度0.13 mm～1 mm碳化硅单晶抛光片平整度的测试。

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本文件描述了利用两个探头在硅片表面自动非接触扫描测试硅片的翘曲度和弯曲度的方法。
本文件适用于直径不小于50 mm，厚度不小于100 μm的洁净、干燥的硅片，包括切割、研磨、腐蚀、抛光、外延、刻蚀或其他表面状态的硅片，也可用于砷化镓、碳化硅、蓝宝石等其他半导体晶片翘曲度和弯曲度的测试。

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本标准规定了镁及镁合金铸锭的外观检查、化学成分、纯净度检验和试验报告等内容。
本标准适用于镁及镁合金铸锭的纯净度检验。

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本标准规定了金属材料高温蒸汽氧化试验方法的术语和定义、试验原理、试验装置及条件、试样、试验步骤、结果分析和试验报告。本标准适用于金属材料在高温蒸汽条件下的氧化试验。

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本标准规定了锆管探伤用对比试样人工缺陷（人工槽/通孔）尺寸的复型及显微测量方法。本标准适用于锆管超声、涡流等无损探检测对比试样上人工槽/通孔尺寸的测量。其他金属对比试样中的类似人工缺陷尺寸的测量也可参照执行。

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本文件规定了锂离子电池正极材料锰酸锂的放电平台容量比率及循环寿命测试方法。本文件适用于锂离子电池正极材料锰酸锂放电平台容量比率及循环寿命的测试。

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