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本标准规定了电解质初晶温度测定的基本要求和测定过程中熔样的速度、初晶温度拐点的识别以及冷却速度等技术要求。本标准适用于采用步冷曲线法测定铝电解质的初晶温度。测定范围为800 ℃~1 000 ℃。
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本标准规定了利用X射线光谱法测试电工钢表面涂层重量(厚度)的方法。本方法用于室温下测量试样单位面积上的涂层重量,其测量结果也可以用涂层厚度表示。本标准适用于表面涂层中含有稳定的、不受干扰的、X射线荧光强度较大的特性元素的电工钢,给定涂层材料的测量范围主要取决于可获得的特征X射线荧光强度和可接受的测量不确定度,并且因所使用的仪器设备和测量方式而不同。
本文件规定了含润滑剂金属粉末中润滑剂含量的测定方法。该方法也适用于制备样品以测定元素含量,例如石墨和氧,其测定会由于润滑剂的存在而受到干扰。 应用此方法的条件是:用于萃取润滑剂的适宜溶剂已知并易于得到。
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本指导性技术文件规定了测量纳米材料直流磁化率(磁矩)的术语及定义、样品制备及测量、测量仪器、测量步骤和试验报告等。 本指导性技术文件适用于利用电磁感应定律制造的超导量子干涉器磁强计及振动样品磁强计测量纳米材料的直流磁化率(磁矩)。亚微米尺度范围的材料也可参照本标准执行。
本标准规定了直接法氧化锌白度的检验方法。本标准适用于直接法氧化锌白度的检验。
本文件规定了液态金属密度的测定方法。 本文件适用于在室温至300 ℃范围内进行液态金属密度的测定。在300 ℃以上的熔盐、金属熔体密度测定也可参照使用。
本文件描述了用单筒同轴圆筒旋转法测定液态金属表观黏度的方法。 本文件适用于在室温至200 ℃范围内进行液态金属表观黏度的测定。温度范围根据所使用的仪器进行扩展。
本文件规定了利用高分辨X射线衍射仪测试氮化镓单晶衬底片晶面曲率半径的方法。 本文件适用于化学气相沉积及其他方法制备的氮化镓单晶衬底片晶面曲率半径的测试,氮化镓外延片晶面曲率半径的测试可参照本文件进行。
本文件规定了碳化硅单晶位错密度的测试方法。 本文件适用于晶面偏离{0001}面、偏向〈112-0〉方向0°~8°的碳化硅单晶位错密度的测试。
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本文件描述了锂离子电池正极材料磷酸铁锂循环寿命的测试方法。 本文件适用于采用卷绕法进行锂离子电池正极材料磷酸铁锂循环寿命的测试。
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本文件规定了电容电压法测试硅外延层载流子浓度的方法,包括汞探针电容电压法和无接触电容电压法。 本文件适用于同质硅外延层载流子浓度的测试,测试范围为4×1013 cm-3~8×1016 cm-3,其中硅外延层的厚度大于测试偏压下耗尽层深度的两倍。硅单晶抛光片和同质碳化硅外延片载流子浓度的测试也可以参照本文件进行,其中无接触电容电压法不适用于同质碳化硅外延片载流子浓度的测试。
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