本标准规定了金相法测定钛合金β转变温度的原理、试样、仪器设备、试验步骤、试验结果的判定、和试验报告。
本标准适用于采用金相法测定α型、α-β型和亚稳定β型钛合金的β转变温度。

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本标准规定了热双金属螺旋形元件热偏转率测量的原理、方法和设备要求。本标准适用于测定热双金属平螺旋形元件和直螺旋形元件的热偏转率，也适用于厚度小于0.3 mm热双金属温曲率的测量。本标准是判定一批热双金属螺旋形元件验收或拒收的质量检验手段。本标准有助于确定在某一偏转量下，螺旋形元件材料的最佳厚度和长度。

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本文件规定了镁合金牺牲阳极试样在饱和硫酸钙和氢氧化镁介质中工作时的电化学性能试验方法。本文件适用于以饱和硫酸钙和氢氧化镁试验电解液模拟埋地阳极填充环境下镁合金牺牲阳极(以下简称埋地阳极)电化学性能的测试。淡水中使用的热水器用镁合金牺牲阳极(以下简称热水器阳极)电化学性能的测试可参照使用。

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本文件规定了冷轧金属薄板和薄带表面粗糙度、峰值数和波纹度的原理、试样、测量要求、测量程序、测量结果数值的修约和测试报告。本文件适用于冷轧金属薄板和薄带表面粗糙度、峰值数和波纹度的测量。也适用于具有表面金属镀层的冷轧金属薄板和薄带。

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本标准规定了无应变、无外加磁场条件下铜(Cu)、铜-镍(Cu-Ni)、铜/铜-镍(Cu/Cu-Ni)基体和铝(Al)基体的铌-钛(Nb-Ti)和铌三锡(Nb3Sn)复合超导体剩余电阻比(RRR)的测试方法。本标准适用于剩余电阻比值低于350、横截面小于3 mm2、具有矩形或圆形横截面的一体化超导体的剩余电阻比的测量。对于Nb3Sn复合超导体，样品经反应热处理。

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本标准规定了单晶和铸造多晶的硅片及硅锭的载流子复合寿命的非接触微波反射光电导衰减测试方法。本标准适用于硅锭和经过抛光处理的n型或p型硅片(当硅片厚度大于1 mm时，通常称为硅块)载流子复合寿命的测试。在电导率检测系统灵敏度足够的条件下，本标准也可用于测试切割或经过研磨、腐蚀的硅片的载流子复合寿命。通常，被测样品的室温电阻率下限在0.05 Ω·cm~10 Ω·cm之间，由检测系统灵敏度的极限确定。载流子复合寿命的测试范围为大于0.1 μs，可测的最短寿命值取决于光源的关断特性及衰减信号测定器的采样频率，最长可测值取决于样品的几何条件及其表面的钝化程度。

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本文件描述了半导体单晶材料在波长0.2μm~300μm范围内透过率的测量方法。
本文件适用于硅、锗、磷化铟、硒化镉、硫化镉、碳化硅、氮化镓、氧化镓、蓝宝石、金刚石等半导体单晶材料透过率的测定。

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本文件描述了用比重瓶法测定金属粉末有效密度的方法。
本文件适用于金属粉末有效密度的测定。其他烧结金属材料(仅限于没有封闭孔隙的颗粒或部件)真密度的测定参考使用。

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本标准规定了可渗性烧结金属材料的密度、含油率和开孔率的测量方法。 本标准适用于烧结金属多孔轴承以及用金属粉末通过压制和烧结而制成的机械零件。

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本标准规定了锗单晶位错密度的测试方法。
本标准适用于{111}、{100}和{113}面锗单晶位错密度的测试，测试范围为0 cm-2~100 000 cm-2。

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本标准规定了精密电阻合金电阻率测试方法。
本标准适用于在参考温度为20 ℃时，测量实心并具有均匀截面的精密电阻合金的体积电阻率和单位长度电阻。对于其他合金在此温度的电阻率的测量亦可参照采用。

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本文件描述了精密电阻合金热电动势率的测试方法，包括原理、测试装置、试样及制备、测试环境、测试程序、数据处理、精密度和准确度以及测试报告。
本文件适用于在-65 ℃～250 ℃范围内，精密电阻合金热电动势率的测试。其他金属材料在此温度范围内的热电动势率的测试参照执行。

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本文件描述了精密电阻合金电阻温度系数的测试方法，包括原理、测试装置、试样制备及预处理、测试环境条件、测试方法、数据处理、数值修约以及测试报告。
本文件适用于在-65 ℃~250 ℃温度范围内，对精密电阻合金电阻温度系数的测试。其他金属材料在此温度范围内的电阻温度系数的测试参照执行。

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本标准规定了应用扫描表面检查系统对抛光片、外延片等镜面晶片表面的局部光散射体进行测试，对局部光散射体与延伸光散射体、散射光与反射光进行区分、识别和测试的方法。针对130 nm～11 nm线宽工艺用硅片，本标准提供了扫描表面检查系统的设置。
本标准适用于使用扫描表面检查系统对硅抛光片和外延片的表面局部光散射体进行检测、计数及分类，也适用于对硅抛光片和外延片表面的划伤、晶体原生凹坑进行检测、计数及分类，对硅抛光片和外延片表面的桔皮、波纹、雾以及外延片的棱锥、乳突等缺陷进行观测和识别。本标准同样适用于锗抛光片、化合物抛光片等镜面晶片表面局部光散射体的测试。
注：本标准中将硅、锗、砷化镓材料的抛光片和外延片及其他材料的镜面抛光片、外延片等统称为晶片。

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本标准测试方法适用于测定铜-超比大于1的铜/铌钛(Cu/Nb-Ti)复合超导体的直流临界电流，也同样适用于测定铌钛芯丝直径大于1 μm、铜-超比大于0．9、铜镍合金(Cu-Ni)-超导体比大于0.2的铜/铜镍/铌钛(Cu/Cu-Ni/Nb-Ti)超导线的直流临界电流。由于铜/铌钛(Cu/Nb-Ti)复合超导体和铜/铜镍/铌钛(Cu/Cu-Ni/Nb-Ti)超导体两者的临界电流测试方法略有不同，本标准的附录C(规范性)将介绍测量铜/铜镍/铌钛(Cu/Cu-Ni/Nb-Ti)超导体时所需特别遵从的规定。 本标准测试方法适用于在标准的测试条件下超导体所处的磁场小于或等于其上临界磁场的0.7倍、临界电流小于1 000 A、n值大于12的超导体。测量时，被测样品应浸泡在已知温度的液氦中。被测导体应为圆形或矩形截面的一体化超导线，其截面积小于2 mm2。被测样品应具有螺旋线圈几何形状。 本标准还给出在日常测试中为本实验方法所允许的偏离以及其他具体限定。 临界电流大于1 000 A或者截面积大于2 mm2的导体也可以使用本方法测量，但测量不确定度会增大，且自场效应更明显(见附录B)。此外，为了简单和保持比较低的测量不确定度，本标准不涉及对于大截面导体可能更适合的特殊样品形状。 本标准给出的测量方法经过适当修改可适用于测定其他类型复合超导线的临界电流。

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