[STFZ]2.1[ST]〓本标准包括多晶硅棒取样、将样品区熔拉制成单晶以及通过光谱分析法对拉制好的单晶硅棒进行分析以确定多晶硅中痕量杂质的程序。这些痕量杂质包括施主杂质(通常是磷或砷,或二者兼有)、受主杂质(通常是硼或铝,或二者兼有)及碳杂质。
[STFZ]2.2[ST]〓本标准中适用的杂质浓度测定范围:施主和受主杂质为(0.002~100)ppba(十亿分之一原子比),碳杂质为(0.02~15)ppma(百万分之一原子比)。样品中的这些杂质是通过低温红外光谱法或光致发光光谱法分析的。
[STFZ]2.3[ST]〓 本标准仅适用于评价在硅芯上沉积生长的多晶硅棒。
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1.1 本方法适用于测量均匀掺杂、经过抛光处理的n型或p型硅片的载流子复合寿命。本方法是非破坏性、无接触测量。在电导率检测系统的灵敏度足够的条件下,本方法也可应用于测试切割或者经过研磨、腐蚀硅片的载流子复合寿命。
1.2 被测硅片的室温电阻率下限由检测系统灵敏度的极限确定,通常在0.05 Ω·cm~1 Ω·cm之间。
注: 本检测方法适用于测量0.25 μs到>1 ms范围内的载流子复合寿命。最短可测寿命值取决于光源的关断特性及衰减信号测定器的采样频率,最长可测值取决于试样的几何条件以及样片表面的钝化程度。配以适当的钝化工艺,如热氧化或浸入适当的溶液中,对于GB/T 12964《硅单晶抛光片》中规定厚度的抛光片,长到数十毫秒的寿命值也可被测定。
1.3 分析工艺过程、检查沾污源以及对测量数据进行解释以判别杂质中心的形成机理和本质不在本方法范围内。本方法仅在非常有限的条件下,例如通过比对某特定工艺前后载流子复合寿命测试值,可以识别引入沾污的工序,识别某些个别的杂质种类。
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1.1 本标准规定了用酸从多晶硅块表面浸取金属杂质,并用电感耦合等离子质谱仪定量检测多晶硅表面上的金属杂质痕量分析方法。
1.2 本标准适用于碱金属、碱土金属和第一系列过渡元素如钠、钾、钙、铁、镍、铜、锌以及其他元素如铝的检测。
1.3 本标准适用于各种棒、块、粒、片状多晶表面金属污染物的检测。由于块、片或粒形状不规则,面积很难准确测定,故根据样品重量计算结果,使用的样品重量为50 g~300 g,检测限为0.01 ng/mL。
1.4 酸的浓度、组成、温度和浸取时间决定着表面腐蚀深度和表面污染物的浸取效率。在这个实验方法中腐蚀掉的样品重量小于样品重量的1%。
1.5 本标准适用于重量为25 g~5 000 g的样品的测定,为了达到仲裁的目的,该实验方法规定样品的重量为约300 g。
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