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【国家标准】 用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法

本网站 发布时间: 2017-12-19
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适用范围:

本标准规定了用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的测试方法。
本标准适用于外延层厚度不小于某一最小厚度值(见附录A)相同或相反导电类型衬底上的n型或p型外延层的净载流子浓度测量。本标准也适用于硅抛光片的净载流子浓度测量。

基本信息

  • 标准号:

    GB/T 14863-2013

  • 标准名称:

    用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法

  • 英文名称:

    Method for net carrier density in silicon epitaxial layers by voltage-capacitance of gated and ungated diodes
  • 标准状态:

    废止
  • 发布日期:

    2013-12-31
  • 实施日期:

    2014-08-15
  • 出版语种:

    中文简体

标准分类号

  • 标准ICS号:

    29.045
  • 中标分类号:

    H80

关联标准

  • 替代以下标准:

  • 被以下标准替代:

  • 引用标准:

  • 采用标准:

出版信息

  • 页数:

    16 页
  • 字数:

    24 千字
  • 开本:

    大16 开

其他信息

  • 起草人:

    何秀坤 董颜辉 周智慧 段曙光 刘筠
  • 起草单位:

    信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研究所、中国电子技术标准化研究院
  • 归口单位:

    中国电子技术标准化研究院
  • 提出部门:

    中华人民共和国工业和信息化部
  • 发布部门:

    中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
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  • 国家标准计划