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本文件描述了带存储的半导体器件工作在高能粒子环境下(如阿尔法辐射)的软错误敏感性的试验方法。本文件包含了两种试验方法,分别为利用阿尔法粒子辐射源的加速试验和自然辐射环境下(如阿尔法粒子或中子)导致错误的(非加速)实时系统试验。
为了全面表征带存储半导体器件的软错误特性,还需要依照其他试验方法开展宽能谱高能中子和热中子试验。
本试验方法适用于所有带存储的半导体器件。

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本文件描述了一种评估和比较加速试验环境中手持电子产品应用的表面安装半导体器件跌落性能的试验方法,其中电路板过度弯曲会导致产品失效。目的是使试验方法标准化,以提供表面安装半导体器件跌落试验性能的可再现性评估,同时复现产品级试验期间常见的失效模式。
本文件适用于使用应变仪测量器件附近电路板的应变和应变率。IEC 60749-37适用于使用加速度计测量施加的机械冲击持续时间和强度,该强度与安装在标准板上的给定器件所受的应力成比例。详细规范中说明使用哪种试验方法。
注1:尽管本试验能评估由安装方式及其条件、印刷电路板(PCB)设计、焊接材料以及半导体器件的安装能力等结合在一起的结构,但不能单独评估半导体器件的安装能力。
注2:本试验的结果受到不同焊接条件、PCB焊盘图案设计和焊接材料等影响比较大。因此,本试验不能从根本上保证半导体器件焊点的可靠性。
注3:当本试验产生的机械应力在器件实际使用中不会发生时,本试验不适用。

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本文件描述了一种测量高密度集成电路单粒子效应(SEE)的试验方法,包括带存储的半导体器件在受到宇宙射线产生的大气中子辐照时的数据保持能力。通过已知注量率的中子辐照测量得到半导体器件的单粒子效应敏感性。该试验方法适用于任何种类集成电路。
注1: 高压半导体器件也会产生单粒子效应,包括单粒子烧毁(SEB)、单粒子栅穿(SEGR)等,本文件不包括此部分内容,请参考IEC 62396-4。
注2: 除高能中子外,能量小于1 eV的热中子也能导致部分器件产生软错误,本文件不包括此部分内容,请参考IEC 62396-5。

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目的:确定GB 4943.1—2022的目的和适用性以及不适用的范围。
原理:范围中不包括对功能安全的要求。功能安全在GB/T 20438.1中解决。由于范围中包含了可控制安全系统的计算机,功能安全要求必然包括计算机程序和软件的要求。
可对GB 4943.23的要求进行修改并作为标准的一个新的部分。然而,由于GB 4943.1基于危险的性质,GB 4943.23的要求已被纳入GB 4943.1中并变得更加通用。
添加GB 4943.23要求的目的在于保持GB 4943.23技术要求的总体含义,并依据GB 4943.1的总体格式纳入到GB 4943.1中,简化和促进这些要求的应用。
传统上,机器人在ISO标准范围内,一般由ISO TC 299维护。ISO TC 299下设个人护理和服务机器人工作组,并制定标准诸如ISO 13482机器人和机器人设备—个人护理机器人的安全要求。

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GB/T 5076-2025 具有两个轴向引出端的圆柱体元件的尺寸测量 即将实施 发布日期 :  2025-12-02 实施日期 :  2026-07-01

本文件描述了电子设备用的,具有两个轴向引出端的圆柱体电阻器和电容器本体长度本体直径的测量方法,以及覆材料覆盖引出端的检查方法。
本文件适用于电子设备用具有两个轴向引出端的圆柱体电阻器和电容器(以下简称“元件”)。
注:单向引出的元件所需空间的测定方法见IEC 60717。

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本文件规定了9 kHz~1 GHz频率范围射频骚扰电压和骚扰电流测量用辅助设备的特性和性能。
注:依据IEC Guide 107,CISPR 16-1-2为IEC所属产品委员会使用的基础电磁兼容(EMC)标准。正如IEC Guide 107所述,产品委员会有责任决定EMC标准的适用性。CISPR及其分技术委员会(对应于国内的SAC/TC 79及其分技术委员会)与这些产品委员会在评估其特定产品的特定试验的价值展开合作。上述产品委员会对应于国内相关的产品技术委员会。
本文件包括以下测量辅助设备的规范:人工电源网络(AMN)、电流探头、电压探头,以及电流注入耦合单元。
本文件的所有要求需在测量设备的CISPR指示范围内的所有测量频率,以及所有无线电骚扰电压和骚扰电流电平上得到满足。
无线电骚扰和抗扰度测量方法在CISPR 16-2(所有部分)中给出,有关无线电骚扰的更详尽的信息在CISPR/TR 16-3中给出,不确定度、统计学和限值建模在CISPR 16-4(所有部分)中给出。

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GB/T(Z) 6113规定了9 kHz~18 GHz频率范围骚扰的测量方法,本文件则规定了9 kHz~30 MHz频段的传导骚扰测量方法。使用CDNE测量时,频率扩展到300 MHz。
注:依据IEC导则107,CISPR 16为IEC所属产品委员会使用的基础EMC标准。正如IEC导则107所述,产品委员会有责任决定该EMC标准的适用性。国际无线电干扰特别委员会(CISPR)及其分技术委员会与这些产品委员会在评估其特定产品的特定试验的价值展开合作。

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本文件规定了抑制电源电磁干扰用固定电容器基于评定水平DZ的安全和性能检验的要求。
本文件适用于抑制电源电磁干扰用固定电容器。

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本文件规定了金属化聚萘二甲酸乙二醇酯膜介质直流固定电容器的术语和定义、优先额定值和特性,并从GB/T 6346.1-2024中选择适用的质量评定程序、试验和测量方法,以及给出这类电容器的一般性能要求。引用本文件的详细规范中规定的试验严酷等级和要求具有相同或更高的性能水平。不准许降低性能水平。
本文件适用于电子设备用的以金属化层为电极和以聚萘二甲酸乙二醇酯(以下简称聚萘酯)膜为介质的表面安装直流固定电容器。这种电容器具有金属连接端或者焊锡面,能直接安装到混合电路基板上或者印刷电路板上。这类电容器具有基于使用条件的“自愈特性”。它们主要用于交流分量小于额定电压的场合。
本文件不包括抑制电源电磁干扰用电容器,这类电容器属于GB/T 6346.14所覆盖范围。

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GB/T 19405.4-2025 表面安装技术 第4部分:湿敏器件的处理、标记、包装和分类 即将实施 发布日期 :  2025-12-31 实施日期 :  2026-07-01

本文件规定了湿敏器件的处理、标记、包装和分类等要求。
本文件适用于所有印制板组装期间采用批量再流焊接工艺的器件,包括塑料封装,敏感器件过程封装和其他所有暴露在环境空气下由透湿材料(环氧树脂、有机硅树脂等)制造的封装。

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GB/T 20521.5-2025 半导体器件 第14-5部分:半导体传感器 PN结半导体温度传感器 即将实施 发布日期 :  2025-12-02 实施日期 :  2026-07-01

本文件规定了PN结温度传感器的标志、基本额定值、特性。
本文件适用于半导体PN结温度传感器,描述了相应的能用来确定各类PN结温度传感器的特性。

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GB/T 21644-2025 网络远程教育平台总体要求 即将实施 发布日期 :  2025-10-05 实施日期 :  2026-05-01

本文件描述了网络远程教育平台应用场景,规定了网络远程教育平台的功能架构、功能要求、网络要求、安全与版权保护要求、平台管理要求和性能要求。
本文件适用于网络远程教育平台的规划设计、建设、实施和应用。

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GB/T 21715.1-2025 健康信息学 患者健康卡数据 第1部分:总体结构 即将实施 发布日期 :  2025-12-31 实施日期 :  2026-07-01

本文件规定了患者健康卡数据中使用UML标识语言定义的不同类型数据的总体结构,这些数据结构存储于符合GB/T 14916中ID-1卡物理尺寸规定的卡中。
本文件适用于患者健康卡的设计和规划。

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GB/T 31379.2-2025 平板显示器偏光片测试方法 第2部分:光学性能 即将实施 发布日期 :  2025-10-05 实施日期 :  2026-05-01

本文件描述了平板显示器偏光片透过率、偏光度、色相、反射率、雾度、光学补偿值的测试方法。
本文件适用于平板显示器用偏光片光学性能的测试。

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GB/T 31379.3-2025 平板显示器偏光片测试方法 第3部分:可靠性 即将实施 发布日期 :  2025-10-05 实施日期 :  2026-05-01

本文件描述了平板显示器偏光片低温、高温、恒温恒湿、冷热冲击、光照老化、折叠屏用偏光片弯折的测试方法。
本文件适用于平板显示器用偏光片可靠性的测试。

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