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【国家标准】 半导体器件 机械和气候试验方法 第44部分:半导体器件的中子辐照单粒子效应(SEE)试验方法

本网站 发布时间: 2025-12-30
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适用范围:

本文件描述了一种测量高密度集成电路单粒子效应(SEE)的试验方法,包括带存储的半导体器件在受到宇宙射线产生的大气中子辐照时的数据保持能力。通过已知注量率的中子辐照测量得到半导体器件的单粒子效应敏感性。该试验方法适用于任何种类集成电路。
注1: 高压半导体器件也会产生单粒子效应,包括单粒子烧毁(SEB)、单粒子栅穿(SEGR)等,本文件不包括此部分内容,请参考IEC 62396-4。
注2: 除高能中子外,能量小于1 eV的热中子也能导致部分器件产生软错误,本文件不包括此部分内容,请参考IEC 62396-5。

基本信息

  • 标准号:

    GB/T 4937.44-2025

  • 标准名称:

    半导体器件 机械和气候试验方法 第44部分:半导体器件的中子辐照单粒子效应(SEE)试验方法

  • 英文名称:

    Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods—Part 44:Neutron beam irradiated single event effect(SEE) test method for semiconductor devices
  • 标准状态:

    即将实施
  • 发布日期:

    2025-12-02
  • 实施日期:

    2026-07-01
  • 出版语种:

    中文简体

标准分类号

  • 标准ICS号:

    31.080.01
  • 中标分类号:

    L40

关联标准

  • 替代以下标准:

  • 被以下标准替代:

  • 引用标准:

  • 采用标准:

    《半导体器件 机械和气候试验方法 第44部分:半导体器件的中子辐照单粒子效应(SEE)试验方法》 IDT 等同采用

出版信息

  • 页数:

    20 页
  • 字数:

    31 千字
  • 开本:

    大16 开

其他信息

  • 起草人:

    何玉娟、张战刚、恩云飞、雷志锋、彭超、席善斌、来萍、黄云、何小琦、李强、常江、张晓全、曹宏建、杨少华
  • 起草单位:

    工业和信息化部电子第五研究所、中国电子科技集团公司第十三研究所、广州盟标质量检测技术服务有限公司、吉林华微电子股份有限公司、广微(中山)智能科技有限公司
  • 归口单位:

    全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78)
  • 提出部门:

    中华人民共和国工业和信息化部
  • 发布部门:

    国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会