本文件规定了推导仿真集成电路(IC)辐射发射电平的宏模型的方法。该模型通常称为集成电路发射模型-辐射发射(ICEM-RE)。该模型旨在用于当测量或仿真的数据不能直接导入仿真工具时对整个IC进行建模,无论其是否有相关封装、功能块以及模拟和数字IC(输入/输出引脚、数字核和电源)的知识产权(IP)块。
本文件提出的IC宏模型将导入三维电磁仿真工具中,以便:
● 预测IC的近场辐射发射;
● 评估辐射发射对邻近IC、电缆、传输线等的影响。
本文件包括两个主要部分:
● 第一部分是ICEM-RE宏模型元素的电气描述;
● 第二部分提出了一种基于XML称为REML的通用数据交换格式,这种格式以更实用和通用的形式对ICEM-RE进行编码以仿真发射。

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本文件规定了集成电路（IC）的宏模型以仿真印制电路板上的传导电磁发射。该模型通常称为集成电路发射模型-传导发射（ICEM-CE）。
ICEM-CE宏模型能用于对IC晶片、功能块和知识产权（IP）块进行建模。
ICEM-CE宏模型还能用于对数字IC和模拟IC进行建模。

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本文件规定了片上系统（SoC）的技术要求、电测试方法和检验规则。
本文件适用于片上系统（SoC）的设计、制造、采购、验收。

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本文件规定了半导体集成电路霍尔电路（以下称为器件）电特性测试方法。本文件适用于半导体集成电路霍尔电路电特性的测试。

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本文件规定了半导体集成电路中直接数字频率合成器（以下简称“器件”）电特性的通用测试方法。本文件适用于单通道及多通道直接数字频率合成器电路的测试。

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本文件定义了集成电路（IC）传导和辐射骚扰电磁抗扰度测量的通用信息，描述了常规的试验条件、试验设备和布置、试验程序和试验报告内容。附录A中给出了试验方法的对照表，帮助选择适当的测量方法。

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本文件描述了集成电路（IC）对射频（RF）辐射电磁骚扰的抗扰度测量方法。本文件适用的频率范围为150 kHz～1 GHz或为TEM小室和宽带TEM小室的特性决定的频率范围。

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本文件描述了在传导射频(RF)骚扰存在的情况下利用大电流注入(BCI)法测量集成电路(IC)抗扰度的试验方法，例如，由辐射RF骚扰引起的传导RF骚扰。这种方法仅用于有板外连线的IC，例如连接到电缆束。本试验方法把RF电流注入到一根或一组线缆。
本文件为设备中的半导体器件在无用RF电磁波环境下工作时的评估建立公共基础。

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本文件规定了在传导射频(RF)骚扰存在的情况下集成电路(IC)抗扰度的测量方法，例如，由辐射RF骚扰引起的传导RF骚扰。本方法确保抗扰度测量的高度可重复性和相关性。
本文件为设备中的半导体器件在无用RF电磁波环境下工作时的评估建立公共基础。

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本文件描述了评估近电场、近磁场或近电磁场分量对集成电路（IC）影响的测量方法。本测量方法旨在用于IC的架构分析，例如平面规划和配电优化。本测量方法也可用于测量扫描探头能够靠近的、安装在任何电路板上的IC。某些情况下，本测量方法不仅可扫描IC，还可扫描IC的环境。为了对比不同IC的表面扫描抗扰度，宜使用IEC 62132-1规定的标准试验板。
本测量方法提供了IC对其上方的电场或磁场近场骚扰的敏感度（抗扰度）图。测量探头的性能和探头定位系统的精度决定了测量的分辨率。本方法预期使用的最高频率为6 GHz。使用现有探头技术可扩展上限频率范围，但这超出了本文件的范围。本测量方法使用连续波(CW)、幅度调制(AM)或脉冲调制(PM)信号在频域进行。

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本文件描述了元器件位移损伤的试验方法。本文件适用于光电集成电路和分立器件，如电荷耦合器件（CCD）、光电耦合器、图像敏感器（APS）、光敏管等，用质子、中子进行位移损伤辐照试验。其他元器件的位移损伤辐照试验参照进行。

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