本文件规定了推导仿真集成电路(IC)辐射发射电平的宏模型的方法。该模型通常称为集成电路发射模型-辐射发射(ICEM-RE)。该模型旨在用于当测量或仿真的数据不能直接导入仿真工具时对整个IC进行建模,无论其是否有相关封装、功能块以及模拟和数字IC(输入/输出引脚、数字核和电源)的知识产权(IP)块。
本文件提出的IC宏模型将导入三维电磁仿真工具中,以便:
● 预测IC的近场辐射发射;
● 评估辐射发射对邻近IC、电缆、传输线等的影响。
本文件包括两个主要部分:
● 第一部分是ICEM-RE宏模型元素的电气描述;
● 第二部分提出了一种基于XML称为REML的通用数据交换格式,这种格式以更实用和通用的形式对ICEM-RE进行编码以仿真发射。
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本文件描述了一种测量集成电路(IC)电磁辐射的方法。受试IC需安装在一块IC试验印制电路板(PCB)上,该PCB固定在横电磁波(TEM)小室或者吉赫兹横电磁波(GTEM)小室顶部或底部切割出的一个匹配端口(称为壳体端口)上。该PCB不像通常用法位于小室内,而是作为小室壁面的一部分。本方法适用于任何修改后增加了壳体端口的TEM小室或GTEM小室(见附录B)。但是,被测的射频(RF)电压将会受到很多因素的影响。影响被测RF电压的主要因素是芯板和IC试验PCB(小室壳体)之间的距离。
本方法使用1 GHz TEM小室(芯板与地平面距离为45 mm)和GTEM小室(芯板与匹配端口区域地平面平均距离为45 mm)进行试验。其他小室或许不用产生同样的频谱输出,但只要频率和灵敏度特性允许,也能用作比较测量使用。对于地平面与芯板间距不同的TEM小室或GTEM小室产生的测量数据,在应用修正系数后再进行比较。
IC试验PCB控制着工作的IC相对于小室的几何位置和方向,避免了IC在小室内的任何电缆连接(这些线缆布置于PCB背面,位于小室外部)。TEM小室的一个50 Ω端口端接50 Ω负载。TEM小室的另一个50 Ω端口或GTEM小室的唯一一个50 Ω端口,连接到频谱分析仪或接收机的输入端,用以测量IC产生的并传递在小室芯板上的射频发射。
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本文件描述了评估集成电路(IC)表面或附近的近电场、近磁场或近电磁场分量的测量方法。本测量方法旨在用于IC的架构分析,例如平面规划和配电优化。本测量方法也适用于测量扫描探头能够靠近的、安装在任何电路板上的IC。某些情况下,本测量方法不仅能扫描IC,还能扫描IC的环境。为了对比不同IC的表面扫描发射,宜使用IEC 61967-1规定的标准试验板。
本测量方法提供了IC上方的电场或磁场的近场发射图。测量探头的性能和探头定位系统的精度决定了测量的分辨率。本方法预期使用的最高频率为6 GHz。使用现有探头技术可以扩展上限频率范围,但这超出了本文件的范围。测量能在频域进行,也能在时域进行。
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本文件提供了集成电路的传导和辐射电磁发射测量的通用信息和定义,同时也给出了试验条件、试验设备、试验布置、试验程序和试验报告内容的描述。附录A中给出了试验方法的对照表,以帮助选择适当的测量方法。
本文件的目的是描述通用条件,建立一个统一的测试环境以定量测量来自集成电路(IC)的射频(RF)骚扰。本文件描述了影响试验结果的关键参数。若与本文件的描述有所偏离,需在试验报告中明确注明。测量结果能用于产品比较或其他用途。
通过对受控条件下IC产生的辐射射频骚扰或传导射频发射的电压和电流的测量,获得IC应用过程中可能产生的射频骚扰信息。
IEC 61967的每个部分规定了所适用的频率范围。
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