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本文件规定了微波集成电路预分频器的术语、字母符号、基本额定值、特性以及测试方法。
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本文件描述了微波电路类的电调衰减器主要电参数的测试方法。本文件适用于单片和混合集成的微波电调衰减器(以下简称衰减器)的相关电参数测试。
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本文件规定了混频器的分类、技术要求、电特性测试方法和检验规则等。本文件适用于采用半导体集成电路工艺设计制造混频器的设计、制造、采购和验收。
本文件规定了片上系统(SoC)的技术要求、电测试方法和检验规则。 本文件适用于片上系统(SoC)的设计、制造、采购、验收。
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本文件规定了半导体集成电路霍尔电路(以下称为器件)电特性测试方法。本文件适用于半导体集成电路霍尔电路电特性的测试。
本文件规定了放大器的分类、技术要求、测试方法和检验规则等。 本文件适用于采用半导体集成电路工艺设计制造放大器的设计、制造、采购和验收。
本文件规定了半导体集成电路中直接数字频率合成器(以下简称“器件”)电特性的通用测试方法。本文件适用于单通道及多通道直接数字频率合成器电路的测试。
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本文件规定了模拟数字(AD)转换器(以下简称AD转换器或ADC)的分类、技术要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。本文件适用于采用半导体集成电路工艺设计制造的AD转换器。
本标准规定了集成电路(IC)卡封装框架(以下简称IC卡封装框架)的技术要求、检验方法、检验规则、包装、贮存和运输。 本标准适用于IC卡封装框架,包括接触式IC卡封装框架和非接触式IC卡封装框架。
本标准规定了半导体集成电路第三代双倍数据速率同步动态随机存储器(DDR3 SDRAM)功能验证和电参数测试的方法。 本标准适用于半导体集成电路领域中第三代双倍数据速率同步动态随机存储器(DDR3 SDRAM)功能验证和电参数测试。
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本标准规定了半导体集成电路快闪存储器电参数、时间参数和存储单元功能测试的基本方法。 本标准适用于半导体集成电路领域中快闪存储器电参数、时间参数和存储单元功能的测试。
本标准规定了双极、MOS、结型场效应半导体集成电路模拟开关(以下称为器件)参数测试方法。本标准适用于半导体集成电路模拟开关,也适用于多路转换器参数的测试。
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本标准规定了非易失性存储器耐久和数据保持试验的方法。本标准适用于电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)、快闪存储器(Flash)以及内嵌上述存储器的集成电路(以下简称器件)。
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为了给设备的电气特性分析提供标准,需要考虑以下条目从而使得集成电路的输入信号、输出信号、电源、地端口的电气模型标准化:a)〓在已有标准基础上进行标准化以解决目前存在的问题以及扩大分析能力。b)〓为电子电路定义更多灵活的描述规则,以提供更准确的PCB分析。c)〓引入建模等级概念,为每一个应用提供相关数据。d)〓完善封装和模块的电气模型。
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本标准规定了半导体集成电路电平转换器(以下称为器件)功能、静态参数和动态参数的测试方法。本标准适用于半导体集成电路电平转换器功能、静态参数和动态参数的测试。
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