本文件给出了4H-SiC(碳化硅)同质外延片中的缺陷分类。缺陷是按晶体学结构进行分类，并通过明场光学显微术（OM)、光致发光（PL)和X射线形貌(XRT)图像等无损检测方法进行识别。

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本文件提供了在商用碳化硅（SiC）同质外延片产品上缺陷光学检测的定义和方法。主要是通过给出这些缺陷的光学图像示例，为SiC同质外延片上缺陷的光学检测提供检测和分类的依据。
本文件主要论述缺陷的无损表征方法，因此有损表征例如湿法腐蚀等不包含在本文件范围内。

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本文件提供了商用碳化硅(4H-SiC)同质外延片生长缺陷光致发光检测的定义和方法。主要是通过光致发光图像示例和发射光谱示例，为SiC同质外延片上缺陷的光致发光检测提供检测和分类的依据。

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本文件给出了点扫描法测定平板显示器基板玻璃应力的试验原理，描述了点扫描法的试验装置、试验条件、试样要求、试验步骤、结果表示、试验报告。本文件适用于厚度为0.3 mm~1.1 mm、规格为11代及以下的平板显示器基板玻璃应力测试，其他玻璃材料参考使用。

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本文件描述了平板显示用彩色光刻胶理化性能中固含量、黏度和后烘残膜率三项指标的测试方法。本文件适用于平板显示用彩色光刻胶的制造、质量控制以及研发工作。

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本文件描述了平板显示用彩色光刻胶光学性能中色度、辉度和对比度三项指标的测试方法。本文件适用于平板显示用彩色光刻胶的制造、质量控制以及研发工作。

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本文件描述了平板显示阵列用正性光阻材料的测试方法。
本文件适用于液晶显示器件、有机发光显示器件等显示阵列制造用正性光阻材料的性能测试。

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本文件规定了半导体行业用电子级正硅酸乙酯的技术要求、检验规则、型式试验、标志、包装、运输及贮存的要求,描述了试验方法、分析方法与测定结果评价。本文件适用于沉积二氧化硅的电子级正硅酸乙酯。

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本标准规定了蒸散型钡吸气剂载料和蒸散钡膜中钡量的测定方法、释汞吸气剂含汞量的测试方法、掺氮吸气剂载料中含氮量的测试方法、蒸散型吸气剂镍含量检测方法。
本标准适用于真空器件用吸气剂。

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本标准规定了吸气剂金属释放特性测试方法，如释汞吸气剂的总释汞量、标准释汞量、释汞特性曲线及热稳定性的测试方法、蒸散型钡吸气剂得钡量的测试方法、掺氮吸气剂钡膜分布测试方法。
本标准适用于真空器件用吸气剂。

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本标准规定了吸气剂装载量、吸气剂压制或烧结固度、吸气剂载体与支架焊接强度、吸气剂压制密度均匀性等吸气剂机械性能测试方法。
本标准适用于真空器件用吸气剂。

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本标准规定了吸气剂放气量的测试方法、掺氮吸气剂释氮吸气动态曲线的测试方法、释汞吸气剂放气回吸曲线的测试方法、定压法吸气性能测试方法、定容法吸气性能测试方法等吸气剂气体吸放性能测试方法。
本标准适用于真空器件用吸气剂。

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本标准规定了电子元器件用酚醛包封料（以下简称包封料）的分类、技术要求、检验规则、检验方法、包装、标志、贮存及运输等要求。
本标准适用于陶瓷电容器、压电陶瓷元件、热敏电阻器、厚膜电路等电子元器件湿法包封用酚醛包封料。

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本标准规定了薄膜集成电路用氧化铝陶瓷基片的要求、测试方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。
本标准适用于薄膜集成电路用氧化铝陶瓷基片（以下简称“基片”）的生产和采购,采用薄膜工艺的片式元件用氧化铝陶瓷基片也可参照使用。

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