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YS/T 23-2016 硅外延层厚度测定 堆垛层错尺寸法 现行 发布日期 :  2016-04-05 实施日期 :  2016-09-01

本标准规定了利用堆垛层错尺寸法测量硅外延层厚度的方法。
本标准适用于在〈111〉、〈100〉和〈110〉晶向的硅单晶衬底上生长的2 μm~120 μm硅外延层厚度的测量。

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YS/T 15-2015 硅外延层和扩散层厚度测定磨角染色法 现行 发布日期 :  2015-04-30 实施日期 :  2015-10-01

本标准规定了测定硅外延层和扩散层厚度的磨角染色法。
本标准适用于外延层和扩散层与衬底导电类型不同或两层电阻率相差至少一个数量级的任意电阻率的硅外延层和扩散层厚度的测量,测量范围为1 μm~100 μm。

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YS/T 14-2015 异质外延层和硅多晶层厚度的测量方法 现行 发布日期 :  2015-04-30 实施日期 :  2015-10-01

本标准规定了异质外延层和硅多晶层厚度的测量方法。
本标准适用于测量衬底与沉积层之间界面层厚度小于100 nm的异质外延层和硅多晶层的厚度测量范围为1 μm~100 μm。

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YS/T 839-2012 硅衬底上绝缘体薄膜厚度及折射率的椭圆偏振测试方法 现行 发布日期 :  2012-11-07 实施日期 :  2013-03-01

1.1 本方法规定了用椭圆偏振测试方法测量生长或沉积在硅衬底上的绝缘体薄膜厚度及折射率的方法。
1.2 本方法适用于薄膜对测试波长没有吸收和衬底对测试波长处不透光、且已知测试波长处衬底折射率和消光系数的绝缘体薄膜厚度及折射率的测量。对于非绝缘体薄膜,满足一定条件时,方可采用本方法。

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