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【行业标准】 硅外延层厚度测定　堆垛层错尺寸法

本网站 发布时间： 2018-01-05
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适用范围：

本标准规定了利用堆垛层错尺寸法测量硅外延层厚度的方法。
本标准适用于在〈111〉、〈100〉和〈110〉晶向的硅单晶衬底上生长的2 μm～120 μm硅外延层厚度的测量。

基本信息

  • 标准号：

    YS/T 23-2016

  • 标准名称：

    硅外延层厚度测定　堆垛层错尺寸法

  • 英文名称：

    Test method for thickness of epitaxial layers—Stacking fault size

  • 标准状态：

    现行

  • 发布日期：

    2016-04-05

  • 实施日期：

    2016-09-01

  • 出版语种：

    中文简体

标准分类号

  • 标准ICS号：

    77.040

  • 中标分类号：

    H21

关联标准

  • 替代以下标准：

  • 被以下标准替代：

  • 引用标准：

  • 采用标准：

出版信息

  • 页数：

    12 页

  • 字数：

    12 千字

  • 开本：

    大16 开

其他信息

  • 起草人：

    马林宝、杨帆、葛华、刘小青、孙燕、徐新华

  • 起草单位：

    南京国盛电子有限公司、有研半导体材料有限公司、上海晶盟硅材料有限公司

  • 归口单位：

    全国有色金属标准化技术委员会(SAC/TC243)

  • 提出部门：

    全国有色金属标准化技术委员会(SAC/TC243)

  • 发布部门：

    中华人民共和国工业和信息化部
  • 其它标准
  • 推荐标准

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