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GB/T 11297.9-2015 热释电材料介质损耗角正切tanδ的测试方法 现行 发布日期 :  2015-12-31 实施日期 :  2016-07-01

本部分规定了热释电陶瓷、晶体和有机材料在100 Hz~100 kHz范围的介质损耗角正切tanδ的测量方法。
本部分适用于测量钛酸铅、锆钛酸铅、钛酸锶钡、钽钪酸铅等热释电陶瓷材料和铌镁酸铅、钽酸锂、三甘氨酸硫酸盐族等热释电晶体材料的介质损耗角正切tanδ,也适用于测量其他类似陶瓷、晶体及有机热释电材料的介质损耗角正切tanδ。

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GB/T 5594的本部分规定了装置零件、真空电子器件、电阻基体、半导体及集成电路基片等用电子陶瓷材料介电常数和介质损耗角正切值的测试方法。本部分适用于装置零件、真空电子器件、电阻基体、半导体及集成电路基片等用电子陶瓷材料在频率为1 MHz ,温度从室温至500 ℃条件下的介电常数和介质损耗角正切值的测试。

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本文件描述了采用分离式介质谐振器(SPDR)测定层压板1.1 GHz~20 GHz范围内离散频率点下的相对介电常数(Dk或εr)和介质损耗角正切(Df或tanδ)的方法。本文件适用于印制板用覆铜箔层压板和绝缘介质基材的测试。

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