本文件描述了用轮廓仪法、千分尺法和游标卡尺法测试半导体晶片直径的方法。
本文件适用于圆形半导体晶片直径的测试，测试范围为标称直径不大于300 mm。本文件不适用于测试晶片的不圆度。

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本文件适用于如电阻器、熔断器、继电器、接触器、变压器、旋转设备及类似设备组合（例如成套设备)的电气设备端子的标识与标志，也适用于某些特定导体终端的标识。本文件确立了用特定颜色或字母数字符号来标识导体的一般规则，以避免混淆和确保安全操作。这些导体颜色和字母数字符号适用于芯线、母线和电气设备以及电缆或装置。
本文件主要提出安全基本要求，主要用于技术委员会按照IEC指南104和ISO/IEC指南51规定的原则编制标准时使用。
本文件不适用于制造商或认证机构。技术委员会的职责之一是，在适用情况下制定标准时引用基础安全出版物。除非特别提及或包含，否则本文件的内容不适用。

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本文件规定了船用半导体变流器(以下简称“变流器”)的要求、检验规则和标志、包装、运输贮存、随机文件，描述了相应的试验方法。
本文件适用于半导体整流二极管、各种类型的晶闸管、门极可关断晶闸管(GTO)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)、集成门极换流晶闸管(IGCT)、金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)以及其他电力电子器件所构建的输入输出变流器的设计、制造和试验。

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本文件规定了室内照明环境下（排除自然光透入）用于精细陶瓷半导体光催化材料性能测试光源的试验要求。
本文件适用于精细陶瓷半导体不同催化过程和催化试验的电光源检测。
注：催化试验例如，光解水制氢、光降解污染物、模拟日光加速试验等。

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本文件规定了用于固定和支撑接闪器、引下线和接地装置的金属和非金属导体紧固件的要求，描述了相应的试验方法。由于现代建筑中使用的导体紧固件数量和类型众多，
本文件不适用于导体紧固件与建筑物结构的固定。
本文件不适用于爆炸性环境中导体紧固件的试验。在危险环境中使用的导体紧固件需考虑必要的附加要求。
注：在欧盟国家，对于应用在爆炸性环境中的部件试验要求见CLC/TS 50703-2。

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本文件描述了谐振腔级铌剩余电阻比（rRRR）的测试方法。
本文件适用于rRRR在150～600级别的高纯铌。本文件的铌超导体具有矩形或圆形截面、截面面积在1 mm2～20 mm2、长度不小于宽度或直径的10倍但不大于25倍。

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本文件规定了第二代高温超导体微连接的工艺要求、第三方检查。
本文件适用于第二代高温超导体微连接，但不包括软钎焊、硬钎焊或填充材料连接，不适用于第一代铋锶钙铜氧(1G BSCCO)类高温超导体和低温超导体(LTS)连接。

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本文件规定了第二代高温超导体微连接接头的试验方法，包括目视检测、四引线法试验、磁场衰减试验、外加磁场试验、拉伸试验、弯曲试验、临界电流密度分布试验、光学显微镜法试验等要求。
本文件适用于第二代高温超导体微连接接头（以下简称“接头”）。

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本文件规定了第二代高温超导体接头的微连接和氧化退火操作人员与试验人员的资格要求。
本文件适用于第二代高温超导体（2G HTS）接头的微连接和氧化退火操作人员与试验人员的资格评定。

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