本标准规定了半导体升降温治疗设备的术语和定义、要求、试验方法。
本标准适用于3.1定义的半导体升降温治疗设备(以下简称“设备”)。
本标准不适用于下列设备：
——热垫式治疗仪；
——医用控温毯。

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本标准适用于交直流电力系统用架空裸导线（绞合导体）和各类裸母线（非绞合导体）的能耗试验方法。

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本标准规定了半导体器件键合用铝-1%硅细丝的要求、试验方法、检验规则及包装、标志、运输、贮存及质量证明书与订货单（或合同）内容。
本标准适用于半导体内引线用拉制或挤压铝-1%硅细丝（以下简称细丝）。

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本标准规定了以半导体激光器作为光源的眼科激光光凝仪(以下简称光凝仪)的基本参数和产品组成、要求、试验方法、检验规则以及标志、标签和使用说明书等内容。
本标准适用于临床上对患者进行眼科半导体激光光凝手术治疗的设备。

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本标准规定了半导体激光光动力治疗机的术语和定义、产品组成、基本参数、技术要求、试验方法和检验规则等要求。
本标准适用于半导体激光光动力治疗机（以下简称治疗机）,该治疗机采用特定波长的激光与光敏剂产生光化学作用，供临床单位进行光动力治疗。

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本标准规定了半导体激光鼻腔内照射治疗仪的产品组成和基本参数、技术要求和试验方法。
本标准适用于采用峰值波长在630 nm～670 nm的半导体激光, 用于照射人体鼻腔内黏膜的治疗仪。治疗仪利用弱激光与人体组织的光生物作用机理，达到辅助治疗的目的。

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本标准适用于建筑物、构筑物及其附属设施配电用额定电压为0.6/1kV铝合金导体交联聚乙烯绝缘电缆。

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本标准规定了银钯厚膜导体浆料的要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输、贮存及订货单内容等。
本标准适用于厚膜混合电路、分立器件用银钯导体浆料(以下简称银钯浆料)。

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本规定适用于发电厂和变电站新建工程选择（3～500）kV的导体和电器。

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.1　本标准适用于非本征单晶半导体材料样品或相同导电类型重掺衬底上沉积已知电阻率的同质外延层中的少数载流子扩散长度的测量。要求样品或外延层厚度大于4倍的扩散长度。
1.2　本标准是为单晶硅样品的应用而开发的，可用于测量其他半导体，如砷化镓（同时调整相应的光照波长（能量）范围和样品的制备工艺）上的有效扩散长度和评价晶粒间界垂直于表面的多晶硅样品上有效扩散长度。本标准也可用于硅片的洁净区的宽度测定。
1.3　本标准对样品的电阻率和寿命的应用极限尚未确定，但已经成功的对电阻率（0.1～50）Ω·cm、载流子寿命短至2 ns的p和n型硅样品进行了测量。本标准测量的扩散长度仅在室温22℃±0.5℃下进行，寿命和扩散长度是温度的函数。

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本标准规定了导电用铝及铝合金板形、管形及异形导体的分类、质量要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存及合同内容等。
本标准适用于铝及铝合金板形、管形及异形导体。

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本标准规定了固化型银导体浆料的要求、试验方法、检验规则和标志、包装、贮存及订货单(或合同)内容等。
本标准适用于膜片开关用银浆料、碳膜电位器端头用银浆料及银导电胶等低温固化型银导体浆料(以下简称银浆)。

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本标准规定了烧结型银导体浆料的要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存及订货单内容。
本标准适用于厚膜混合集成电路、压电陶瓷滤波器及谐振器、圆片陶瓷电容器、真空荧光显示屏、化霜用电极、分立元器件线路引线等用银浆(以下简称银浆)。

定价： 16元 / 折扣价： 14 元 加购物车

本标准规定了金基厚膜导体浆料的要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存及订货单内容。
本标准适用于厚膜混合集成电路、传感器等器件用的金基厚膜导体浆料(以下简称金浆)。

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本标准规定了半导体器件键合用铝丝的要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输及贮存。
本标准适用于半导体器件键合用铝丝(以下简称铝丝)。

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