- 您的位置:
- 中国标准在线服务网 >>
- 全部标准分类 >>
- 行业标准 >>
- YS >>
- YS/T 679-2008 非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法
【行业标准】 非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法
本网站 发布时间:
2020-05-18
开通会员免费在线看70000余条国内标准,赠送文本下载次数,单本最低仅合13.3元!还可享标准出版进度查询、定制跟踪推送、标准查新等超多特权!  
查看详情>>
标准简介
文前页下载
适用范围:
.1 本标准适用于非本征单晶半导体材料样品或相同导电类型重掺衬底上沉积已知电阻率的同质外延层中的少数载流子扩散长度的测量。要求样品或外延层厚度大于4倍的扩散长度。
1.2 本标准是为单晶硅样品的应用而开发的,可用于测量其他半导体,如砷化镓(同时调整相应的光照波长(能量)范围和样品的制备工艺)上的有效扩散长度和评价晶粒间界垂直于表面的多晶硅样品上有效扩散长度。本标准也可用于硅片的洁净区的宽度测定。
1.3 本标准对样品的电阻率和寿命的应用极限尚未确定,但已经成功的对电阻率(0.1~50)Ω·cm、载流子寿命短至2 ns的p和n型硅样品进行了测量。本标准测量的扩散长度仅在室温22℃±0.5℃下进行,寿命和扩散长度是温度的函数。
1.2 本标准是为单晶硅样品的应用而开发的,可用于测量其他半导体,如砷化镓(同时调整相应的光照波长(能量)范围和样品的制备工艺)上的有效扩散长度和评价晶粒间界垂直于表面的多晶硅样品上有效扩散长度。本标准也可用于硅片的洁净区的宽度测定。
1.3 本标准对样品的电阻率和寿命的应用极限尚未确定,但已经成功的对电阻率(0.1~50)Ω·cm、载流子寿命短至2 ns的p和n型硅样品进行了测量。本标准测量的扩散长度仅在室温22℃±0.5℃下进行,寿命和扩散长度是温度的函数。
标准号:
YS/T 679-2008
标准名称:
非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法
英文名称:
Test methods for minority carrier diffusion length in extrinsic semiconductors by measurement of steady-state surface photovoltage标准状态:
被代替-
发布日期:
2008-03-12 -
实施日期:
2008-09-01 出版语种:
中文简体
- 其它标准
- 推荐标准
- 国家标准计划
- YS/T 3043-2023 含氯金物料中金量的测定
- YS/T 1605.12-2023 焙烧钼精矿化学分析方法 第12部分:碳、硫含量的测定 高频燃烧红外吸收法
- YS/T 1605.11-2023 焙烧钼精矿化学分析方法 第11部分:钨含量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法
- YS/T 1605.10-2023 焙烧钼精矿化学分析方法 第10部分:硅含量的测定 钼蓝分光光度法
- YS/T 1605.9-2023 焙烧钼精矿化学分析方法 第9部分:磷含量的测定 钼蓝分光光度法
- YS/T 1605.8-2023 焙烧钼精矿化学分析方法 第8部分:钙、镁含量的测定 火焰原子吸收光谱法
- YS/T 1605.7-2023 焙烧钼精矿化学分析方法 第7部分:钾含量的测定 火焰原子吸收光谱法
- YS/T 1605.6-2023 焙烧钼精矿化学分析方法 第6部分:铅、铜含量的测定 火焰原子吸收光谱法
- YS/T 1605.5-2023 焙烧钼精矿化学分析方法 第5部分:锑含量的测定 原子荧光光谱法
- YS/T 1605.4-2023 焙烧钼精矿化学分析方法 第4部分:锡含量的测定 原子荧光光谱法
- YS/T 1605.3-2023 焙烧钼精矿化学分析方法 第3部分:铋含量的测定 火焰原子吸收光谱法和原子荧光光谱法
- YS/T 1605.2-2023 焙烧钼精矿化学分析方法 第2部分:氨不溶钼含量的测定 硫氰酸盐分光光度法
- YS/T 1605.1-2023 焙烧钼精矿化学分析方法 第1部分:钼含量的测定 钼酸铅重量法
- YS/T 745.11-2023 铜阳极泥化学分析方法 第11部分:铟含量的测定 火焰原子吸收光谱法
- YS/T 745.10-2023 铜阳极泥化学分析方法 第10部分:铱和铑含量的测定 镍锍试金-电感耦合等离子体质谱法