本文件规定了高纯锑的分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件及订货单内容。
本文件适用于以工业锑为原料，经氯化、精馏、氢气还原、真空蒸馏、区域熔炼或直拉提纯生产工艺制备的高纯锑。
注： 高纯锑主要用于制备ⅢⅤ族化合物半导体材料、高纯合金、热电致冷元件，以及用作硅、锗单晶的掺杂剂。

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本标准规定了气态氦和液态氦的技术要求、检验规则、检验方法、产品的包装、标志、储运及安全警示等。〖JP〗
本标准适用于以深冷法提取的纯氦、高纯氦和超纯氦，主要用于光导纤维、激光、焊接切割、潜水呼吸、低温超导、增压、清洗、保护气等。
分子式：He。
相对分子质量：4.002 602（按2007年国际相对原子质量）。

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本标准规定了高纯银锭的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存和质量证明书、订货单（或合同）。
本标准适用于以各种含银原料生产的应用于电子光伏产业、超导材料、靶材、工业级镀膜、医药等领域的高纯银锭。

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本文件规定了高纯镓的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件及订货单内容。
本文件适用于纯度不小于99.999 9%的高纯镓的生产、检测及质量评价。
注： 高纯镓主要用于制备化合物半导体、高纯合金以及半导体材料的掺杂等。

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本文件规定了高纯镍的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件和订货单内容。本文件适用于溅射靶材及离子镀膜、电子工业用连线、高纯试剂、高性能合金等用途的电解或电积高纯镍。

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本标准规定了高纯铜产品的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单(或合同)内容。
本标准适用于溅射靶材及离子镀膜加工产品、电子工业各种连接线、电子封装用键合线、高品质音频线、高纯试剂、标样及高级合金等用途的高纯铜。

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本文件规定了高纯钴的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件和订货单内容。
本文件适用于溅射靶材及离子镀膜、高纯试剂、高性能合金等用途的电解或电积高纯钴。

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本标准规定了纯甲烷、高纯甲烷的要求、检验规则、试验方法以及包装、标志、贮运及安全警示等。
本标准适用于由低温精馏法自天然气提取的甲烷。纯甲烷和高纯甲烷主要用于标准混合气的制备、催化剂评价、金属与合金的渗碳和碳化物生成、微生物培养、冷冻剂以及化工原料等。

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本标准规定了纯氖和高纯氖的技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、贮运及安全警示等。
本标准适用于以深冷法提取的纯氖和高纯氖，主要用于霓虹灯及作为电子工业的填充介质,也用于激光技术、高能物理、混合气配制。
分子式：Ne。
相对分子质量：20.1797（按2009年国际相对原子质量）。

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本标准规定了纯氮、高纯氮和超纯氮产品的技术要求、检验方法以及包装、标志、贮运、安全警示等。 本标准适用于空气分离或经净化得到的气态或液态的纯氮、高纯氮和超纯氮，主要用作保护气、置换气、反应气等。

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本文件规定了高纯硼酸锂的分类和标记、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件和订货单内容。
本文件适用于X 射线荧光光谱分析（XRF）、火焰原子吸收光谱分析（AAS）、电感耦合等离子体发射光谱分析（ICP）等仪器分析中作助熔剂用的高纯硼酸锂。

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本标准规定了高纯氟化铵溶液的分级、要求、试验方法、检验规则、标志、标签、包装、运输、贮存和安全。
本标准适用于高纯氟化铵溶液。该产品主要应用于集成电路和超大规模集成电路芯片的清洗、蚀刻等行业。

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本文件规定了高纯锗γ谱仪（以下简称“谱仪”)的分类、技术要求,描述了试验方法，同时对检验规则、标志、随行文件、运输及贮存进行了规定。
本文件适用于具有同轴型半导体探测器（以下简称“同轴型”)的高纯锗γ谱仪的生产、销售、管理和检测等。用于特殊或定制场景的其他类型高纯锗γ谱仪参考使用。

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本文件规定了高纯镍靶材的分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存及随行文件和订货单内容。
本文件适用于半导体行业用的高纯镍靶材。

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本标准规定了高纯氢氧化铟的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存及订货单（或合同）内容。
本标准适用于以金属铟为原料，经净化、中和、沉淀制得的高纯氢氧化铟，产品主要用于制取碱性电池、ITO及电子元件材料等。

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