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GB 16912-2008 深度冷冻法生产氧气及相关气体安全技术规程 现行 发布日期 :  2008-12-11 实施日期 :  2009-10-01

本规程规定了工业氧气及相关气体的生产(含设计、制造、安装、改造、维修)、储存、输配和使用中应遵守的安全要求。
本规程适用于新建、扩建和改建的采用深度冷冻法生产氧气及相关气体的单位。

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本标准规定了在俄歇电子能谱(AES)和X射线光电子能谱(XPS)中使用惰性气体离子以保证溅射深度剖析具有好的深度分辨率以及最佳表面清洁效果而采取的离子束对准方法。这些方法分为两类:一类通过法拉第杯测量离子束流,另一类通过成像方法。法拉第杯方法也规定了离子束束流密度和束流分布的测量。这些方法不包括深度分辨率的优化。这些方法均适用于束斑直径小于1 mm的离子枪。

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GB/T 45079-2024 人工智能 深度学习框架多硬件平台适配技术规范 现行 发布日期 :  2024-11-28 实施日期 :  2024-11-28

本文件规定了在训练和推理场景下,深度学习框架适配多硬件平台的技术要求,描述了相应的测试方法。
本文件适用于支持训练和推理功能的深度学习框架与多硬件平台完成适配,以及深度学习框架与硬件的适配效果评价,也适用于指导人工智能软硬件适配过程。

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GB/T 22092-2018 电子数显测微头和深度千分尺 现行 发布日期 :  2018-05-14 实施日期 :  2018-12-01

本标准规定了电子数显测微头和电子数显深度千分尺的术语和定义﹑型式与基本参数﹑要求﹑检验方法、试验方法、标志与包装。
本标准适用于分辨力为0.001 mm,量程小于或等于50 mm的电子数显测微头和测量范围上限至300 mm的电子数显深度千分尺。

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GB/T 11354-2005 钢铁零件 渗氮层深度测定和金相组织检验 现行 发布日期 :  2005-07-21 实施日期 :  2006-01-01

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GB/T 16990-1997 纺织品 色牢度试验 颜色1/1标准深度的仪器测定 现行 发布日期 :  1997-09-15 实施日期 :  1998-07-01

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GB/T 5617-2005 钢的感应淬火或火焰淬火后有效硬化层深度的测定 现行 发布日期 :  2005-07-21 实施日期 :  2006-01-01

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GB/T 4841.3-2006 染料染色标准深度色卡 2/1、1/3、1/6、1/12、1/25 现行 发布日期 :  2006-08-24 实施日期 :  2007-04-01

本标准规定了2/1、1/3、1/6、1/12、1/26染料染样的染色深度。 本标准适用于染料在进行染色牢度和染色性能试验的测定试验时参照和目视评定染样的染色深度的选取。

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GB/T 9095-2008 烧结铁基材料渗碳或碳氮共渗硬化层深度的测定及其验证 现行 发布日期 :  2008-08-11 实施日期 :  2009-02-01

本标准规定了用显微硬度试验法测定烧结铁基材料渗碳或碳氮共渗的硬化层深度的方法。 本标准适用于淬火的铁基烧结材料。

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GB/T 40109-2021 表面化学分析 二次离子质谱 硅中硼深度剖析方法 现行 发布日期 :  2021-05-21 实施日期 :  2021-12-01

本文件描述了用扇形磁场或四极杆式二次离子质谱仪对硅中硼进行深度剖析的方法,以及用触针式表面轮廓仪或光学干涉仪深度定标的方法。
本文件适用于硼原子浓度范围1×1016 atoms/cm3~1×1020 atoms/cm3的单晶硅、多晶硅或非晶硅样品,溅射弧坑深度在50 nm及以上。

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GB/T 3810.6-2016 陶瓷砖试验方法 第6部分:无釉砖耐磨深度的测定 现行 发布日期 :  2016-04-25 实施日期 :  2017-03-01

GB/T 3810的本部分规定了各种铺地用无釉陶瓷砖耐深度磨损的试验方法。

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为使俄歇电子能谱、X射线光电子能谱和二次离子质谱的仪器设定达到深度分辨的优化目的,本标准采用适当的单层和多层膜系参考物质,提供优化溅射深度剖析参数的指南。 特殊多层膜系(如各种掺杂层膜系)的使用不包括在本标准内。

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本标准规定了辉光放电发射光谱法测定材料表层薄膜的厚度、质量(单位面积)和化学成分的方法。本标准仅限于辉光放电发射光谱法深度剖析定量化通用规程的描述,并不能直接应用于具有不同厚度和元素的待测个体材料的定量化。注: 任何一个针对测试材料表面分析的标准均需要明确表层厚度和分析元素,并提供实验室间共同实验结果以确认方法的有效性。

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GB/T 32495-2016 表面化学分析 二次离子质谱 硅中砷的深度剖析方法 现行 发布日期 :  2016-02-24 实施日期 :  2017-01-01

本标准详细规定了用扇形磁场或四极杆式二次离子质谱仪对硅中砷进行深度剖析的方法,以及用触针式轮廓仪或光学干涉仪深度定标的方法。本标准适用于砷原子浓度范围从1×1016 atoms/cm3~2.5×1021 atoms/cm3的单晶硅、多晶硅、非晶硅样品,坑深在50 nm及以上。

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本文件规定了一种通过测定溅射速率校准材料溅射深度的方法,即在一定溅射条件下测定一种具有单层或多层膜参考物质的溅射速率,用作相同材料膜层的深度校准。当使用俄歇电子能谱(AES)、X射线光电子能谱(XPS)和二次离子质谱(SIMS)进行深度分析时,这种方法对于厚度在20 nm~200 nm之间的膜层具有5%~10%的准确度。溅射速率是由参考物质相关界面间的膜层厚度和溅射时间决定。使用已知的溅射速率并结合溅射时间,可以得到被测样品的膜层厚度。测得的离子溅射速率可用于预测各种其他材料的离子溅射速率,从而可以通过溅射产额和原子密度的表值估算出这些材料的深度尺度和溅射时间。

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