【国家标准】表面化学分析　二次离子质谱　硅中砷的深度剖析方法

本网站发布时间： 2017-01-04

开通会员免费在线看70000余条国内标准，赠送文本下载次数，单本最低仅合13.3元！还可享标准出版进度查询、定制跟踪推送、标准查新等超多特权！查看详情>>

标准简介

本标准详细规定了用扇形磁场或四极杆式二次离子质谱仪对硅中砷进行深度剖析的方法，以及用触针式轮廓仪或光学干涉仪深度定标的方法。本标准适用于砷原子浓度范围从1×1016 atoms/cm3～2.5×1021 atoms/cm3的单晶硅、多晶硅、非晶硅样品，坑深在50 nm及以上。

标准号：
GB/T 32495-2016
标准名称：
表面化学分析　二次离子质谱　硅中砷的深度剖析方法
英文名称：
Surface chemical analysis—Secondary-ion mass spectrometry—Method for depth profiling of arsenic in silicon
标准状态：
现行
发布日期：
2016-02-24
实施日期：
2017-01-01
出版语种：
中文简体

【国家标准】 表面化学分析 二次离子质谱 硅中砷的深度剖析方法