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本空白详细规范是半导体光电子器件的一系列空白详细规范之一
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本空白详细规范是半导体光电子器件的一系列空白详细规范之一。
2.1 本标准定义了设备的六个基本状态,所有的设备条件和阶段都必须归入这六个状态。设备的状态由功能决定,而不管是由谁来执行此功能。本规范中所涉及的设备可靠性的测量主要集中在设备失效和设备使用的关系上,而不是设备失效和设备经历的(日历)总时间之间的关系。
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本文件规定了光电耦合器的基本额定值、特性、安全试验及测试方法。
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本文件规定了电力半导体器件用散热器的绝缘件和紧固件的型号和系列、尺寸、其他技术要求、检验规则以及包装和运输要求。 本文件适用于电力半导体器件用铸造类(包括挤压)散热体的绝缘件和紧固件,也适用于安装尺寸与铸造类(包括挤压)散热体相同的型材散热体和热管散热体的绝缘件和紧固件。
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GB/T 4937的本部分对已封装的半导体集成电路和半导体分立器件进行60Co γ射线源电离辐射总剂量试验提供了一种试验程序。本部分提供了评估低剂量率电离辐射对器件作用的加速退火试验方法。这种退火试验对低剂量率辐射或者器件在某些应用情况下表现出时变效应的应用情形是比较重要的。本部分仅适用于稳态辐照,并不适用于脉冲型辐照。本部分主要针对军事或空间相关的应用。本试验可能会导致辐照器件的电性能产生严重退化,因而被认为是破坏性试验。
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本标准规定了近红外光致发光光谱方法表征半导体性单壁碳纳米管的原理的基础上,规范了使用仪器、制样方法、测量步骤、实验数据处理及结果分析、不确定度影响因素分析和测试报告等内容。 本标准适用于利用近红外光致发光光谱方法表征半导体性单壁碳纳米管手性指数和相对质量浓度。
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本文件规定了关于单片微波集成电路的设计、制造和交付的术语、定义、符号、质量体系、测试、评价、验证方法以及其他要求。
本部分的补充要求适用于安装在具有半导体装置的设备上的熔断体,该熔断体适用于标称电压不超过交流1 000 V或直流1 500 V的电路。如适用,还可用于更高的标称电压的电路。
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本部分给出GB/T 3859.1涵盖的基本要求规范在不同情况下的应用导则,以使GB/T 3859.1中的规定以可控的形态适应于特殊应用。为便于使用GB/T 3859.1,在技术关键点处给出了背景信息。 本部分主要涵盖电网换相变流器。就现行标准不可能提供必要的资料而言,本部分本身不是规范(除非涉及某些辅助部件)。
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GB/T 4937的本部分规定了几种不同的试验方法,用来测定引线/封装界面和引线的牢固性。当电路板装配错误造成引线弯曲,为了重新装配对引线再成型加工时,进行此项试验。对于气密封装器件,建议在本试验之后按IEC 60749-8进行密封试验,以确定对引出端施加的应力是否对密封也造成了不良影响。 本部分的每一个试验条件,都是破坏性的,仅适用于鉴定试验。 本部分适用于所有需要用户进行引线成型处理的通孔式安装器件和表面安装器件。
GB/T 4937的本部分规定了强加速稳态湿热试验(HAST)方法,用于评价非气密封装半导体器件在潮湿的环境下的可靠性。
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