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本文件规定了光电耦合器的基本额定值、特性、安全试验及测试方法。

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本部分的补充要求适用于安装在具有半导体装置的设备上的熔断体，该熔断体适用于标称电压不超过交流1 000 V或直流1 500 V的电路。如适用，还可用于更高的标称电压的电路。

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本文件规定了电力半导体器件用散热器的绝缘件和紧固件的型号和系列、尺寸、其他技术要求、检验规则以及包装和运输要求。
本文件适用于电力半导体器件用铸造类（包括挤压）散热体的绝缘件和紧固件，也适用于安装尺寸与铸造类（包括挤压）散热体相同的型材散热体和热管散热体的绝缘件和紧固件。

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本文件给出了电力半导体器件用散热体的热阻和流阻的术语和定义以及测量方法。
本文件适用于电力半导体器件用散热体（包括铸造、挤压、型材和热管散热体）的热阻和流阻测量。

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GB/T 4937的本部分规定了快速温度变化--双液槽法的试验方法。当器件鉴定既可以采用空气空气温度循环又可以采用快速温度变化--双液槽法试验时，优先采用空气空气温度循环试验。本试验也可采用少量循环(5次～10次)的方式来模拟清洗器件的加热液体对器件的影响。本试验适用于所有的半导体器件。除非在有关规范中另有说明，本试验被认为是破坏性的。本试验与GB/T 2423.22-2002基本一致，但鉴于半导体器件的特殊要求，采用本部分的条款。

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GB/T 4937的本部分规定了几种不同的试验方法，用来测定引线/封装界面和引线的牢固性。当电路板装配错误造成引线弯曲，为了重新装配对引线再成型加工时，进行此项试验。对于气密封装器件，建议在本试验之后按IEC 60749-8进行密封试验，以确定对引出端施加的应力是否对密封也造成了不良影响。
本部分的每一个试验条件，都是破坏性的，仅适用于鉴定试验。
本部分适用于所有需要用户进行引线成型处理的通孔式安装器件和表面安装器件。

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GB/T 4937的本部分规定了强加速稳态湿热试验（HAST）方法，用于评价非气密封装半导体器件在潮湿的环境下的可靠性。

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本文件规定了关于单片微波集成电路的设计、制造和交付的术语、定义、符号、质量体系、测试、评价、验证方法以及其他要求。

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本文件规定了一般工业应用的发光二极管（LED）的术语、基本额定值和特性、测试方法和质量评定，涉及信号器、控制器、传感器等。本文件不包括照明用LED。LED分为以下五种类型：a)〓LED器件；b)〓LED平面发光器件；c)〓LED数字显示和字母数字显示；d)〓显示用点阵LED；e)〓红外发射二极管（IR LED）；f)〓紫外发射二极管（UV LED）。本文件包括带有散热器或具有同等散热器功能的LED。

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本部分给出下列各类或各分类器件的标准：整流二极管包括：--雪崩整流二极管；--可控雪崩整流二极管；--快开关整流二极管。

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