本文件规定了高纯二氧化碳的技术指标、检验规则、采样、标志、包装、储运、充装及安全警示的要求，描述了高纯二氧化碳的试验方法。
本文件适用于以工业二氧化碳、工业尾气、食品添加剂液体二氧化碳为原料经纯化制备的、纯度大于或等于99.99%(摩尔分数)的二氧化碳。

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本标准规定了集成电路用高纯铜合金靶材（以下简称靶材）的分类、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单（或合同）内容。
本标准适用于集成电路制造用的高纯铜铝（CuAl）合金靶材和高纯铜锰（CuMn）合金靶材。

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本标准规定了电子薄膜制备用高纯铝及铝合金靶材的要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、存贮、订货单（或合同）等内容。
本标准适用于电子薄膜用各类高纯铝及铝合金溅射靶材（以下简称铝靶）。

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本标准规定了高纯银中痕量杂质元素的测定方法。本标准适用于高纯银中痕量杂质元素含量的测定。各元素测定范围为0.001 μg/g～5.0 μg/g。

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This standard specifies a method of the concentrations of trace impurities in high purity silver.
This standard is applicable to the determination of trace impurities in high purity silver by glow discharge mass spectrometer(GDMS). The determination range of elements is 0.001μg/g～5.0 μg/g.

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GB/T 23362的本部分规定了高纯氢氧化铟灼减量的测定方法。
本部分适用于高纯氢氧化铟灼减量的测定，测定范围（质量分数）为16.00％～18.00％。

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GB/T 11200的本部分规定了用原子吸收光谱分析法测定工业用氢氧化钠中钙含量的方法。 本部分适用于钙含量（以氧化钙计）大于0.000 035%的产品。

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GB/T 23362的本部分规定了高纯氢氧化铟中砷量的测定方法。
本部分适用于高纯氢氧化铟中砷量的测定，测定范围（质量分数）为0.000　01%～0.005　0%。

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GB/T 23362的本部分规定了高纯氢氧化铟中锑量的测定方法。
本部分适用于高纯氢氧化铟中锑量的测定，测定范围（质量分数）为0.000 01%～0.005 0%。

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GB/T 23362的本部分规定了高纯氢氧化铟中锡量的测定方法。
本部分适用于高纯氢氧化铟中锡量的测定，测定范围（质量分数）为0.000　05%～0.004　0%。

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GB/T 23362的本部分规定了高纯氢氧化铟中氯量的测定方法。
本部分适用于高纯氢氧化铟中氯量的测定，测定范围（质量分数）为0.025％～0.80％。

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GB/T 11200的本部分规定了高纯氢氧化钠中三氧化二铝含量的测定方法。 本部分适用于氢氧化钠中三氧化二铝含量为0.000 1%～0.005%的产品。

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本标准规定了高纯铅的要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存和质量证明书以及合同（或订货单)内容等。
本标准适用于以99.94%铅锭为原料，经高氯酸铅溶液（或硅氟酸铅溶液)电解精炼而制得的99.999%高纯铅；以99.999%的高纯铅为原料经电解精炼而制得的99.999 9%的高纯铅。（这些产品供作化合物半导体、致冷元件、红外光电转换器件、高效温差元件以及焊料等用)。

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本标准规定了高纯锡的要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输、贮存、质量证明书以及合同（或订货单)内容。
本标准适用于以含锡99.90％及以上的精锡为原料经电解等工艺制得的纯度不小于99.999%的锡；以Sn05锡为原料经直拉单晶提纯等工艺制得的纯度不小于99.999 9%及99.999 99%的锡。产品供制备高纯合金、化合物半导体、超导材料、焊料以及化合物半导体的掺杂剂、氧化铟锡靶材（ITO)等。

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本标准规定了高纯碲的要求、检验方法、检验规则、包装、标志、运输、贮存、质量证明书和合同（或订货单）内容。
本标准适用于高纯碲，该产品主要用于红外探测器、红外激光器、碲化物光纤、太阳能电池、γ射线探测器、欧姆接触器、半导体致冷元件、复印机感光元件、垂直磁记录材料等领域。

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