本标准规定了高纯工业品三溴化硼的分级、要求、试验方法、检验规则、标志、标签、包装、运输和贮存。
本标准适用于以工业三溴化硼为原料，经提纯后制得高纯工业品三溴化硼。该产品主要应用于太阳能光伏电池、液晶显示器件、集成电路和超大规模集成电路芯片的扩散源等。

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本标准规定了用高纯锗探测器构成的γ谱仪中本底谱的特性。
本标准适用于由高纯锗探测器构成的γ谱仪采集的本底谱，特别是低本底探测器采集的本底谱。
本标准不涉及降低本底的方法。

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本标准规定了采用电感耦合等离子体原子发射光谱（ICP-OES)法和电感耦合等离子体质谱（ICP-MS)法测定高纯碳化硅中微量元素含量的方法。
本标准适用于碳化硅质量分数含量大于或等于99.9%的高纯碳化硅材料中铝、砷、钙、铬、铜、铁、汞、钾、镁、锰、钠、镍、铅、硫、钛、锌等16种元素的测定。各元素的测定范围见表1（以质量分数计)。

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本标准规定了集成电路用高纯铜合金靶材（以下简称靶材）的分类、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单（或合同）内容。
本标准适用于集成电路制造用的高纯铜铝（CuAl）合金靶材和高纯铜锰（CuMn）合金靶材。

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本标准规定了电子薄膜制备用高纯铝及铝合金靶材的要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、存贮、订货单（或合同）等内容。
本标准适用于电子薄膜用各类高纯铝及铝合金溅射靶材（以下简称铝靶）。

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本标准规定了高纯银中痕量杂质元素的测定方法。本标准适用于高纯银中痕量杂质元素含量的测定。各元素测定范围为0.001 μg/g～5.0 μg/g。

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This standard specifies a method of the concentrations of trace impurities in high purity silver.
This standard is applicable to the determination of trace impurities in high purity silver by glow discharge mass spectrometer(GDMS). The determination range of elements is 0.001μg/g～5.0 μg/g.

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GB/T 23362的本部分规定了高纯氢氧化铟灼减量的测定方法。
本部分适用于高纯氢氧化铟灼减量的测定，测定范围（质量分数）为16.00％～18.00％。

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GB/T 11200的本部分规定了用原子吸收光谱分析法测定工业用氢氧化钠中钙含量的方法。 本部分适用于钙含量（以氧化钙计）大于0.000 035%的产品。

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GB/T 23362的本部分规定了高纯氢氧化铟中砷量的测定方法。
本部分适用于高纯氢氧化铟中砷量的测定，测定范围（质量分数）为0.000　01%～0.005　0%。

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GB/T 23362的本部分规定了高纯氢氧化铟中锑量的测定方法。
本部分适用于高纯氢氧化铟中锑量的测定，测定范围（质量分数）为0.000 01%～0.005 0%。

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GB/T 11200的本部分规定了高纯氢氧化钠中三氧化二铝含量的测定方法。 本部分适用于氢氧化钠中三氧化二铝含量为0.000 1%～0.005%的产品。

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GB/T 23362的本部分规定了高纯氢氧化铟中锡量的测定方法。
本部分适用于高纯氢氧化铟中锡量的测定，测定范围（质量分数）为0.000　05%～0.004　0%。

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GB/T 23362的本部分规定了高纯氢氧化铟中氯量的测定方法。
本部分适用于高纯氢氧化铟中氯量的测定，测定范围（质量分数）为0.025％～0.80％。

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本标准规定了高纯铅的要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存和质量证明书以及合同（或订货单)内容等。
本标准适用于以99.94%铅锭为原料，经高氯酸铅溶液（或硅氟酸铅溶液)电解精炼而制得的99.999%高纯铅；以99.999%的高纯铅为原料经电解精炼而制得的99.999 9%的高纯铅。（这些产品供作化合物半导体、致冷元件、红外光电转换器件、高效温差元件以及焊料等用)。

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