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本文件描述了金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的偏置温度不稳定性(BTI)试验方法。

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GB/T 42970-2023 半导体集成电路 视频编解码电路测试方法 现行 发布日期 :  2023-09-07 实施日期 :  2024-01-01

本文件描述了半导体集成电路视频编解码(video encoder and decoder)电路中的模拟视频接口类电路(以下简称“器件”)电特性测试方法。
本文件适用于视频编解码电路中的模拟视频接口类电路的测试。

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GB/T 42974-2023 半导体集成电路 快闪存储器(FLASH) 现行 发布日期 :  2023-09-07 实施日期 :  2024-01-01

本文件规定了快闪存储器(FLASH)的分类、技术要求、电测试方法和检验规则。
本文件适用于FLASH的设计、制造、采购、验收。

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GB/T 43061-2023 半导体集成电路 PWM控制器测试方法 现行 发布日期 :  2023-09-07 实施日期 :  2024-04-01

本文件描述了半导体集成电路脉冲宽度调制(PWM)控制器(以下简称器件)参数测试方法。本文件适用于半导体集成电路领域中PWM控制器参数的测试。

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GB/T 15649-1995 半导体激光二极管空白详细规范 现行 发布日期 :  1995-07-24 实施日期 :  1996-04-01

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GB/T 15652-1995 金属氧化物半导体气敏元件总规范 现行 发布日期 :  1995-07-24 实施日期 :  1996-04-01

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GB/T 15653-1995 金属氧化物半导体气敏元件测试方法 现行 发布日期 :  1995-07-24 实施日期 :  1996-04-01

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GB/T 5839-1986 电子管和半导体器件额定值制 现行 发布日期 :  1986-01-29 实施日期 :  1986-12-01

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GB/T 5201-2012 带电粒子半导体探测器测量方法 现行 发布日期 :  2012-06-29 实施日期 :  2012-11-01

本标准规定了带电粒子半导体探测器的电特性和核辐射性能的测量方法以及某些特殊环境的试验方法。
本标准适用于带电粒子部分耗尽层的半导体探测器。
全耗尽型半导体探测器的测量可参照本标准执行。

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GB/T 43040-2023 半导体集成电路 AC/DC变换器测试方法 现行 发布日期 :  2023-09-07 实施日期 :  2024-04-01

本文件描述了半导体集成电路交流到直流(AC/DC)变换器(以下简称器件)参数测试方法。本文件适用于半导体集成电路AC/DC变换器参数的测试。

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GB/T 43136-2023 超硬磨料制品 半导体芯片精密划切用砂轮 现行 发布日期 :  2023-09-07 实施日期 :  2024-04-01

本文件规定了半导体芯片精密划切用砂轮的产品分类、产品标记、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。本文件适用于半导体晶圆芯片精密划片和封装体芯片精密切割用电镀结合剂、树脂结合剂和金属结合剂金刚石砂轮。

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GB/T 4376-1994 半导体集成电路 电压调整器系列和品种 现行 发布日期 :  1994-08-08 实施日期 :  1995-04-01

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GB/T 3431.2-1986 半导体集成电路文字符号 引出端功能符号 现行 发布日期 :  1986-07-01 实施日期 :  1987-04-01

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GB/T 7423.3-1987 半导体器件散热器 叉指形散热器 现行 发布日期 :  1987-03-16 实施日期 :  1987-11-01

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GB/T 20516-2006 半导体器件 分立器件 第4部分:微波器件 现行 发布日期 :  2006-10-10 实施日期 :  2007-02-01

本标准给出了以下门类分立器件的标准: ——变容二极管、阶跃二极管和快速开关肖特基二极管(用于调谐、上变频器或谐波倍频器、开关、限幅器、移相器、参量放大器等) ——混频二极管和检波二极管 ——雪崩二极管(用于谐波发生器、放大器等) ——体效应二极管(用于振荡器、放大器等) ——双极型晶体管(用于放大器、振荡器等) ——场效应晶体管(用于放大器、振荡器等)

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