【国家标准】半导体器件　金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的偏置温度不稳定性试验

本网站发布时间： 2025-09-01

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标准简介

本文件描述了金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的偏置温度不稳定性(BTI)试验方法。

标准号：
GB/T 45716-2025
标准名称：
半导体器件　金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的偏置温度不稳定性试验
英文名称：
Semiconductor devices—Bias-temperature instability test for metal-oxide semiconductor field-effect transistors(MOSFETs)
标准状态：
现行
发布日期：
2025-05-30
实施日期：
2025-09-01
出版语种：
中文简体

起草人：
恩云飞、高汭、章晓文、来萍、柴智、林晓玲、陈义强、周圣泽、高金环、任鹏鹏、都安彦、李伟聪、陈磊、冉红雷
起草单位：
工业和信息化部电子第五研究所、河北北芯半导体科技有限公司、上海交通大学、中科院微电子所、厦门芯阳科技股份有限公司、深圳市威兆半导体股份有限公司、浙江朗德电子科技有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所
归口单位：
全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78)
提出部门：
中华人民共和国工业和信息化部
发布部门：
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会

【国家标准】 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的偏置温度不稳定性试验