本标准规定了高纯三氧化二镓的要求、检验方法、检验规则和标志、包装、运输、贮存、质量证明书及订货单(或合同)内容等。
本标准适用于以高纯镓为原料经氧化和粉末工艺制得的纯度为99.999 5%和99.999 9%的高纯三氧化二镓。产品供制备白光LED用的荧光粉、三钆石榴石(GGG晶体)和其他材料。

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本标准规定了高纯四氯化锗的要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单(或合同)内容等。
本标准适用于以粗四氯化锗为原料经提纯工艺制备的高纯四氯化锗。产品主要用作石英光导纤维的掺杂剂及高纯二氧化锗的制备。

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本标准规定了高纯五氧化二铌的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存及订货单(或合同)内容。 本标准适用于液-液萃取法制得的高纯五氧化二铌。产品供生产铌酸盐晶体和作光学玻璃添加剂等用。

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本标准规定了高纯二氧化碲的要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存、质量证明书、合同(或订货单)和安全要求。
本标准适用于使用5N碲为原料生产的高纯二氧化碲，可用于制备二氧化碲单晶体、电子元件材料、红外装置及红外窗口材料、光纤放大器等。

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本标准规定了电子薄膜用高纯钴靶材(以下简称高纯钴靶)的要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输、贮存、质量证明书及订货单(或合同)内容。
本标准适用于电子薄膜制造用的各类高纯钴靶。

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本标准规定了电子薄膜用高纯铜溅射靶材的要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输、贮存、质量证明书及合同（或订货单）内容。
本标准适用于电子薄膜制造用的各类高纯铜溅射靶材（以下简称高纯铜靶）。

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本标准规定了电子薄膜用高纯钛溅射靶材的要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输、贮存及质量证明与合同(订单)等内容。
本标准适用于电子薄膜制造用的各类钛溅射靶材。

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本标准规定了高纯四氯化锗红外透过率的测定方法。
本标准适用于高纯四氯化锗红外透过率的测定，测定范围为0～100%。

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YS/T 34的本部分规定了高纯砷中金属杂质含量的测定方法，采用电感耦合等离子质谱法测定砷中镁、铬、镍、铜、锌、银、锑、铅、铋、钠、钾、铝、钙、铁等14个杂质含量。
本部分适用于99.999%～99.999　99%高纯砷中金属杂质含量的测定。测定范围为1×10－7%～1 000×10－7%。

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本标准规定了电子薄膜用高纯钨及钨合金溅射靶材的要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存、订货单(或合同)等内容。
本标准适用于电子薄膜用高纯钨及钨合金溅射靶材以下简称高纯钨及钨合金靶。

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本标准规定了高纯铂中杂质元素含量的测定方法。 本标准适用于高纯铂（Pt99.995％、Pt99.999％)中杂质元素含量的测定。测定的杂质元素及含量范围见表1。

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YS/T 34的本部分规定了高纯砷中硫含量的测定方法。
本部分适用于砷(99.999%)中硫含量的测定。测定范围为0.000 03%～0.000 15%。

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本标准规定了高纯铼中痕量元素含量的测定方法，测定元素见表1。
本标准适用于高纯铼中痕量元素含量的测定。各元素测定范围如下：硫、硒和汞元素的测定范围为50 μg/kg～5 000 μg/kg，其余元素的测定范围为5 μg/kg～5 000 μg/kg。

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YS/T 34的本部分规定了高纯砷中硒含量的测定方法。
本部分适用于砷(99.999%)中硒含量的测定。测定范围为0.000 05%～0.000 15%。

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本标准规定了高纯镉中痕量杂质元素含量的测定方法，测定元素见表1。
本标准适用于高纯镉中痕量杂质元素含量的测定。各元素测定范围如下：硫、硒元素的测定范围为100 μg/kg～5 000 μg/kg，其余元素的测定范围为1 μg/kg～5 000 μg/kg。

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