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- GB/T 14849.4-2014 工业硅化学分析方法 第4部分:杂质元素含量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法
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适用范围:
GB/T 14849的本部分规定了工业硅中铁、铝、钙、锰、钛、镍、铜、铬、钒、镁、钴、磷、钾、钠、铅、锌、硼含量的测定方法。
本部分适用于工业硅中铁、铝、钙、锰、钛、镍、铜、铬、钒、镁、钴、磷、钾、钠、铅、锌、硼量的测定。各元素测定范围见表1。
本部分适用于工业硅中铁、铝、钙、锰、钛、镍、铜、铬、钒、镁、钴、磷、钾、钠、铅、锌、硼量的测定。各元素测定范围见表1。
标准号:
GB/T 14849.4-2014
标准名称:
工业硅化学分析方法 第4部分:杂质元素含量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法
英文名称:
Methods for chemical analysis of silicon metal—Part 4:Determination of impurity contents—Inductively coupled plasma atomic emission spectrometric method标准状态:
现行-
发布日期:
2014-12-05 -
实施日期:
2015-08-01 出版语种:
中文简体
- 其它标准
ICS77.120.10
H12
中 华 人 民 共 和 国 国 家 标 准
GB/T14849.4—2014
代替 GB/T14849.4—2008
工业硅化学分析方法
第4部分:杂质元素含量的测定
电感耦合等离子体原子发射光谱法
Methodsforchemicalanalysisofsiliconmetal—
Part4:Determinationofimpuritycontents—
Inductivelycoupledplasmaatomicemissionspectrometricmethod
2014-12-05发布 2015-08-01实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
中 国 国 家 标 准 化 管 理 委 员 会
发 布
前 言
GB/T14849《工业硅化学分析方法》分为9个部分:
———第1部分:铁含量的测定 1,10-二氮杂菲分光光度法;
———第2部分:铝含量的测定 铬天青-S分光光度法;
———第3部分:钙含量的测定 火焰原子吸收光谱法、偶氮氯膦Ⅰ分光光度法;
———第4部分:杂质元素含量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法;
———第5部分:杂质元素含量的测定 X射线荧光光谱法;
———第6部分:碳含量的测定 红外吸收法;
———第7部分:磷含量的测定 钼蓝分光光度法;
———第8部分:铜含量的测定 PADAP分光光度法;
———第9部分:钛含量的测定 二安替比林甲烷分光光度法。
本部分为GB/T14849的第4部分。
本部分按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。
本部分代替GB/T14849.4—2008《工业硅化学分析方法 第4部分:电感耦合等离子体发射光谱
法测定元素含量》。与GB/T14849.4—2008相比,主要技术变化如下:
———增加了铜、铬、钒、镁、钴、磷、钾、钠、铅、锌、硼的检测;
———增加了两种溶样方式;
———补充了重复性限、再现性限实验数据。
本部分由全国有色金属标准化技术委员会(SAC/TC243)归口。
本部分负责起草单位:昆明冶金研究院、中国铝业股份有限公司郑州研究院、昆明冶研新材料股份
有限公司。
本部分参加起草单位:云南出入境检验检疫局技术中心、通标标准技术服务有限公司、浙江合盛硅
业有限公司、云南永昌硅业股份有限公司。
本部分主要起草人:刘维理、王劲榕、李跃平、赵德平、杨毅、赵建为、王云舟、王宏磊、聂长虹、
刘英波、卢国洪、吴豫强、张云晖、谭少姬、程志武、周杰。
本部分所代替标准的历次版本发布情况为:
———GB/T14849.4—2008。
Ⅰ
GB/T14849.4—2014
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