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【国家标准】 半导体器件　第6部分：晶闸管

本网站 发布时间： 2017-01-04
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适用范围：

本部分适用于下列各类晶闸管：
——（反向阻断）（三极）晶闸管；
——不对称（反向阻断）（三极）晶闸管；
——反向导通（三极）晶闸管；
——双向三极晶闸管；
——门极可关断晶闸管（GTO晶闸管）。
本部分不适用晶闸管浪涌抑制器和双向二极晶闸管。

基本信息

  • 标准号：

    GB/T 15291-2015

  • 标准名称：

    半导体器件　第6部分：晶闸管

  • 英文名称：

    Semiconductor devices—Part 6:Thyristors

  • 标准状态：

    现行

  • 发布日期：

    2015-12-31

  • 实施日期：

    2017-01-01

  • 出版语种：

    中文简体

标准分类号

  • 标准ICS号：

    31.080.20

  • 中标分类号：

    K46

关联标准

  • 替代以下标准：

  • 被以下标准替代：

  • 引用标准：

  • 采用标准：

    《半导体器件　第6部分：晶闸管》(英文版) IDT 等同采用

出版信息

  • 页数：

    140 页

  • 字数：

    250 千字

  • 开本：

    大16 开

其他信息

  • 起草人：

    秦贤满、颜家圣、刘国友、沈首良

  • 起草单位：

    西安电力电子技术研究所、湖北台基半导体股份有限公司、株洲南车时代电气股份有限公司电力电子事业部、浙江硅都电力电子有限公司

  • 归口单位：

    全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78)

  • 提出部门：

    中华人民共和国工业和信息化部

  • 发布部门：

    中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
  • 其它标准
  • 推荐标准

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