【团体标准】射频GaN HEMT外延片二维电子气迁移率非接触霍尔测量方法

本网站发布时间： 2025-05-19

T/CASAS 027-2023
现行
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标准简介

适用范围：

T/CASAS027—2023《射频GaNHEMT外延片二维电子气迁移率非接触霍尔测量方法》描述了射频GaNHEMT外延片的二维电子气迁移率非接触Hall测量方法的测试原理、干扰因素、测试程序和试验报告。适用于半绝缘衬底上的GaNHEMT外延片二维电子气迁移率测量，其迁移率测量范围在100〖cm〗^2?(V?s)～20000〖cm〗^2?(V?s)。测试方法同样适用于其他材料体系的类似结构（例如GaAs、InPHEMT结构）外延片的二维电子气迁移率测量，衬底材料的导电性应为半绝缘。

基本信息

标准号：
T/CASAS 027-2023
标准名称：
射频GaN HEMT外延片二维电子气迁移率非接触霍尔测量方法
英文名称：
Two—dimensional electron gas mobility of RF GaN HEMT epitaxial wafers—Non—contact Hall measurement method
标准状态：
现行
发布日期：
2023-06-30
实施日期：
2023-07-01
出版语种：

标准分类号

标准ICS号：
31.080.01
中标分类号：

关联标准

替代以下标准：
被以下标准替代：
引用标准：
采用标准：

出版信息

页数：
字数：
开本：

其他信息

起草人：
魏学成、刘波亭、杨学林、刘建利、宋学峰、RogerLuo、裴轶、徐瑞鹏
起草单位：
中国科学院半导体研究所、厦门市三安集成电路有限公司、北京大学、中兴通讯股份有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、LUVASYTEMINC.、苏州能讯高能半导体有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
归口单位：
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
提出部门：
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
发布部门：
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟

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